[发明专利]成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法有效
申请号: | 201710277788.4 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107017177B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 蒋国;刘洋;尚跃东;李建;杨乐;刘金伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C23C14/24 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 速率 检测 模组 设备 方法 | ||
1.一种成膜速率检测模组,其特征在于,包括:
多个主传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;
遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板,主挡板能运动以使主开口轮流对应每个主传感器;
辅传感器,其用于检测其上形成薄膜的速率;
遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板,辅挡板能周期运动,在周期运动过程中辅开口经过对应辅传感器的位置,且辅开口面积与辅开口在一个运动周期中累积扫过面积的比为k,k小于等于1/n,n为主传感器个数。
2.根据权利要求1所述的成膜速率检测模组,其特征在于,
所述主挡板为带有主开口的圆环形板,所述多个主传感器沿圆环形板周向均匀分布。
3.根据权利要求1所述的成膜速率检测模组,其特征在于,
所述辅挡板为有辅开口的圆形板,所述辅传感器设于对应圆形板非圆心的位置。
4.根据权利要求1所述的成膜速率检测模组,其特征在于,
所述主挡板为具有主开口的圆环形板,所述多个主传感器沿圆环形板周向均匀分布;
所述辅挡板为有辅开口的圆形板,所述辅传感器设于对应圆形板非圆心的位置;
所述圆形板同心的设于所述圆环形板内侧。
5.根据权利要求4所述的成膜速率检测模组,其特征在于,
所述圆形板的半径等于圆环形板的内径。
6.根据权利要求1所述的成膜速率检测模组,其特征在于,
所述辅开口的面积等于其在一个运动周期中累积扫过的面积的1/n。
7.根据权利要求1所述的成膜速率检测模组,其特征在于,还包括:
主驱动单元,用于驱动所述主挡板运动;
辅驱动单元,用于驱动所述辅挡板匀速的周期运动。
8.一种成膜设备,包括用于成膜的成膜腔室,其特征在于,
所述成膜腔室中设有权利要求1至7中任意一项所述的成膜速率检测模组。
9.根据权利要求8所述的成膜设备,其特征在于,
所述成膜设备为蒸镀设备。
10.一种成膜速率检测方法,其特征在于,使用权利要求1至9中任意一项所述的成膜速率检测模组进行,所述成膜速率检测方法包括:
移动主挡板使主开口对应一个主传感器,该主传感器检测得到主成膜速率;同时,使辅挡板匀速的周期运动,辅传感器检测得到辅成膜速率;
判断所述辅成膜速与主成膜速率的比是否等于k,若不等则表示成膜速率检测结果错误。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造