[发明专利]数据存储装置及其操作方法

说明书

本发明公开一种数据存储装置，其包括：非易失性存储器装置；以及控制单元，其适于控制对非易失性存储器装置的第一页面的存储器单元的编程操作，并且在编程操作失败的情况下处理编程失败，其中控制单元改变读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于擦除状态的阈值电压的编程状态，通过将改变的读取电压施加到第一页面的存储器单元来读出数据，并且根据将通过施加改变的读取电压而读出的数据的翻转位的数量与参考值进行比较的结果来对存储在第一页面的存储器单元中的数据执行错误处理操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月29日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0110209的韩国申请的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

各种实施例总体涉及一种使用非易失性存储器装置作为存储介质的数据存储装置。

背景技术

近来，用于计算机环境的范例已经转变为普适计算，使得计算机系统可以随时随地使用。由于该事实，诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑的便携式电子装置的使用已经快速增长。通常，便携式电子装置可以使用采用存储器装置的数据存储装置以用于将待使用的数据存储在便携式电子装置中。

由于不具有机械驱动部件，所以使用存储器装置的数据存储装置提供以下优点：稳定性和耐久性优良、信息访问速度高并且功耗小。具有这样的优点的数据存储装置的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、通用闪速存储(UFS)装置和固态硬盘(SSD)。对改进的便携式电子装置的持续需求需要改进的数据存储装置。

发明内容

本发明的各种实施例涉及一种数据存储装置、包括其的系统及其操作方法。数据存储装置能够提高编程失败数据的可靠性。

在实施例中，一种数据存储装置可包括：非易失性存储器装置；以及控制单元，其适于控制对非易失性存储器装置的第一页面的存储器单元的编程操作，并且在编程操作失败的情况下处理编程失败，其中控制单元改变读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于擦除状态的阈值电压的编程状态，通过将改变的读取电压施加到第一页面的存储器单元来读出数据，并且根据将通过施加改变的读取电压而读出的数据的翻转位(flipped bits)的数量与参考值进行比较的结果来对存储在第一页面的存储器单元中的数据执行错误处理操作。

在实施例中，一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置的操作方法可以包括：在对非易失性存储器装置的第一页面的存储器单元的编程操作失败的情况下，改变读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于擦除状态的阈值电压的编程状态；通过将改变的读取电压施加到第一页面的存储器单元来读出数据；以及根据将通过施加改变的读取电压而读出的数据的翻转位的数量与参考值进行比较的结果来对存储在第一页面的存储器单元中的数据执行错误处理操作。

根据实施例，可以改进编程失败数据的可靠性。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的各种实施例，本发明的上述和其它特征及优点对于本发明所属领域的技术人员将变得更加显而易见，其中：

图1是示出根据本发明的实施例的数据存储装置的框图。

图2是帮助解释在图1的数据存储装置中所示的工作存储器中待被驱动的固件或软件的图的示例的表示。

图3是示出根据本发明的实施例的在图1的数据存储装置中采用的非易失性存储器装置的存储块的电路图。

图4和图5是示出根据本发明的实施例的非易失性存储器装置的存储器单元的阈值电压分布的示例的图。

图6是帮助解释非易失性存储器装置的编程失败的图的示例的表示。

图7是根据本发明的实施例的非易失性存储器装置的编程失败管理操作的流程图。