[发明专利]数据存储装置及其操作方法有效
申请号: | 201710266574.7 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN107799149B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 韩周玹;朴钟元;梁赞祐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;王朋飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 存储 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种数据存储装置,其包括:
非易失性存储器装置;以及
控制单元,其适于控制对所述非易失性存储器装置的页面的存储器单元的编程操作,并且在所述编程操作失败的情况下处理编程失败,
其中所述控制单元调整读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于所述擦除状态的阈值电压的编程状态,通过将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元来读出数据,并且根据参考值与翻转位的数量的比较结果,对将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元读出的数据执行错误处理操作,
所述数据存储装置进一步包括错误校正码单元即ECC单元,其适于校正从所述非易失性存储器装置读出的数据的错误,
其中所述控制单元通过经由所述错误校正码单元来校正将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元读出的数据的错误,并且将错误校正的数据编程在除所述页面之外的不同页面中,来执行所述错误处理操作,并且
其中所述翻转位是与在所述编程操作之前从所述错误校正码单元输出的原始数据和通过所调整的读取电压从编程失败页面读出的数据之间不同的数据位。
2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中在所述翻转位的数量等于或大于所述参考值的情况下,所述控制单元执行所述错误处理操作。
3.根据权利要求2所述的数据存储装置,其中所述控制单元通过比较所述原始数据和通过所调整的读取电压读出的数据来确定所述翻转位的数量。
4.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制单元将所述参考值可变地设置在所述错误校正码单元的错误校正能力内。
5.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制单元将所述读取电压调整到低于默认读取电压的电压,以用于区分所述擦除状态和最邻近于所述擦除状态的所述编程状态。
6.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述控制单元读出在所述页面的所述存储器单元之中的除编程禁止的存储器单元之外的存储器单元的数据。
7.一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置的操作方法,所述方法包括:
在对所述非易失性存储器装置的页面的存储器单元的编程操作失败的情况下,调整读取电压以用于区分擦除状态和具有最邻近于所述擦除状态的阈值电压的编程状态;
通过将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元来读出数据;并且
根据参考值与翻转位的数量的比较结果,对将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元读出的数据执行错误处理操作,
其中执行所述错误处理操作包括:
通过错误校正码单元即ECC单元来校正将所调整的读取电压施加到所述页面的所述存储器单元读出的数据的错误,以及
将错误校正的数据编程在不同于所述页面的不同页面中,
其中所述翻转位是与在所述编程操作之前从所述错误校正码单元输出的原始数据和通过所调整的读取电压从编程失败页面读出的数据之间不同的数据位。
8.根据权利要求7所述的方法,其中在所述翻转位的数量等于或大于所述参考值的情况下执行所述错误处理操作。
9.根据权利要求8所述的方法,其中通过比较所述原始数据和通过所调整的读取电压读出的数据来确定所述翻转位的数量。
10.根据权利要求7所述的方法,其中所述参考值被可变地设置在所述错误校正码单元的错误校正能力内。
11.根据权利要求7所述的方法,其中所述读取电压被调整到低于默认读取电压的电压电平,以用于区分所述擦除状态和最邻近于所述擦除状态的所述编程状态。
12.根据权利要求7所述的方法,其中读出所述页面的所述存储器单元之中的除编程禁止的存储器单元之外的存储器单元的数据。
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