[发明专利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710265569.4 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN107331645A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，其包含切割支撑层和芯片接合层，
所述切割支撑层的熔点为60℃～100℃，
所述切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m2～100N/m2。
2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述切割支撑层包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
3.一种切割/芯片接合带，其包含隔膜和与所述隔膜接触的权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜。
4.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
对固定于权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜的半导体晶圆进行切割的工序；和
将通过所述对半导体晶圆进行切割的工序形成的、芯片接合前的芯片压接在被粘物上的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
