[发明专利]连熔法生产半导体行业用法兰的方法

权利要求书

1.一种连熔法生产半导体行业用法兰的方法，其特征是它包括以下步骤：

一、投料

加料斗内的石英砂原料通过进料管连续的投入钨坩埚内，此加料管能够保持坩埚内石英砂的料面高度基本稳定；

二 、熔炼

通过在坩埚外围设置双层加热网，使坩埚内由上至下形成具有稳定温度梯度的热场，石英砂原料逐步熔化，达到最佳的排气效果，如此能够大幅降低产品内部的气泡、气线缺陷，提升产品质量；

三、成型

石英玻璃熔体在坩埚内经充分熔炼、均化后，到达坩埚底部出料台、成型器区域，通过调整坩埚的高度将成型区的温度固定在合适的区间，此时石英玻璃熔体具有最佳的成型粘度，便于成型；

四、拉制

由伺服电机控制拉管机，在托住石英玻璃厚壁管不致下滑的同时，匀速缓慢的将熔体从出料口拉出，形成石英玻璃厚壁管；

五、内外圆打磨

通过内外圆磨床，将大尺寸的石英玻璃厚壁管的内外圆进行打磨，使其尺寸及表面质量符合要求；

六、切割

用金刚石砂轮片将打磨好的石英玻璃厚壁管切成圆环状的法兰片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述的坩埚的下端安装有辅助加热装置以保证坩埚上升后成型区保持所需的温度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征是所述的辅助加热装置对应的辅助加热区的温度可调。