[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在下部结构之上形成层叠绝缘膜，在所述层叠绝缘膜中第一层间绝缘膜、刻蚀停止膜和第二层间绝缘膜顺序层叠；

通过刻蚀层叠绝缘膜来形成接触孔；

通过在接触孔内的第一层间绝缘膜和刻蚀停止膜中掩埋导电膜来形成接触件；以及

形成耦接到接触件的顶表面的金属线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成层叠绝缘膜包括：

在下部结构之上形成具有第一刻蚀选择比的第一层间绝缘膜；

在第一层间绝缘膜之上形成具有第二刻蚀选择比的刻蚀停止膜；以及

在刻蚀停止膜之上形成具有第一刻蚀选择比的第二层间绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成层叠绝缘膜包括：

顺序层叠氧化物膜、氮化物膜和氧化物膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成接触孔包括：

以接触孔的宽度与接触孔的深度成比例地逐渐减小以及刻蚀停止膜的一些部分从接触孔向内突出的方式来刻蚀层叠绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成接触件包括：

在接触孔的内侧壁处形成阻障金属膜；

从阻障金属膜之中选择性地刻蚀部分阻障金属膜，所述部分阻障金属膜不仅形成在第二层间绝缘膜的侧壁处，而且还形成在刻蚀停止膜之上；

形成导电膜以掩埋接触孔；以及

选择性地刻蚀在其中不形成阻障金属膜的区域中形成的导电膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，以由突出的刻蚀停止膜形成的直径在尺寸上与接触孔的底表面的直径相同的方式来刻蚀所述刻蚀停止膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成金属线包括：

在第二层间绝缘膜之上形成限定金属线区域的光致抗蚀剂图案；

通过使用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模来刻蚀第二层间绝缘膜直到接触件被暴露来形成限定金属线区域的沟槽；以及

形成导电膜以掩埋沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成沟槽包括：

以沟槽的下部的宽度比沟槽的上部的宽度小的方式来倾斜地形成沟槽的侧表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成沟槽包括：

以沟槽的下部的宽度与接触件的顶表面的宽度相同的方式来形成沟槽。

10.一种半导体器件，包括：

层叠绝缘膜，其在下部结构之上，在所述层叠绝缘膜中第一层间绝缘膜、刻蚀停止膜和第二层间绝缘膜顺序层叠；

接触件，其具有掩埋在刻蚀停止膜中的上部和掩埋在第一层间绝缘膜中的下部；以及

金属线，其形成为在与接触件的顶表面同时接触的同时沿第一方向前进，并且形成为掩埋在第二层间绝缘膜中，

其中，接触件的下部的宽度与在第一层间绝缘膜内的深度成比例地逐渐减小，而接触件的上部的宽度比接触件的形成在第一层间绝缘膜中的下部的顶表面的宽度小。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

阻障金属膜，其形成在接触件的侧壁处。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：

金属线的侧表面随着金属线的底表面的宽度比金属线的顶表面的宽度小而逐渐变窄。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，金属线的底表面的宽度与接触件的顶表面的宽度基本相同。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：

接触件的形成在刻蚀停止膜中的上部的宽度与接触件的形成在第一层间绝缘层中的下部的底表面的宽度基本相同。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第一层间绝缘膜包括氧化物膜。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，刻蚀停止膜包括氮化物膜。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，第二层间绝缘膜包括氧化物膜。

18.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，接触件包括钨W。

19.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，金属线包括铜Cu。