[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，为防止显示装置的显示异常。所述阵列基板的制造方法包括：沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层，其中，第一像素电极膜层位于阵列基板的钝化层上，沉积第一像素电极膜层时不添加水汽；第二像素电极膜层位于第一像素电极膜层上；对第一像素电极膜层和第二像素电极膜层进行刻蚀，形成第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极共同构成像素电极，第一像素电极通过钝化层内的过孔与阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接。本发明提供的阵列基板的制造方法用于制造阵列基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

目前，显示装置通常包括显示面板，显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层，其中，阵列基板上设置有像素电极，彩膜基板上设置有公共电极，或者，像素电极和公共电极均设置在阵列基板上，通过分别向像素电极和公共电极施加电压，从而在液晶层中形成电场，使液晶层中的液晶分子发生偏转，进而控制显示装置的背光模组提供的背光的通过量，以显示画面。

现有的阵列基板通常还包括薄膜晶体管和钝化层，像素电极通常设置在钝化层上，且像素电极通过钝化层内的过孔与薄膜晶体管的漏极连接，通过薄膜晶体管来来控制施加在像素电极上的电压。然而，现有技术中，像素电极的材料通常采用铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)，在沉积像素电极膜层时，即沉积铟锡氧化物膜层时，通常需要添加水汽，以抑制铟锡氧化物中氧化锡(SnO₂)的结晶，而水汽会经钝化层内的过孔接触薄膜晶体管，对薄膜晶体管的沟道造成不良影响，引起薄膜晶体管的特性发生不良变化，例如，薄膜晶体管的阈值电压V_th随漏源电压V_ds的变化而变化，从而造成显示装置的显示异常。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，用于解决薄膜晶体管的特性受到在沉积像素电极膜层时添加的水汽的不良影响而引起显示装置的显示异常的技术问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种阵列基板的制造方法，包括：

沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层，其中，所述第一像素电极膜层位于所述阵列基板的钝化层上，沉积所述第一像素电极膜层时不添加水汽；所述第二像素电极膜层位于所述第一像素电极膜层上；

对所述第一像素电极膜层和所述第二像素电极膜层进行刻蚀，形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极共同构成像素电极，所述第一像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接。

优选地，所述第一像素电极膜层为铟锌氧化物第一像素电极膜层，且氧化铟占铟锌氧化物的质量百分数为86％～96％；或者，所述第一像素电极膜层为铟锡氧化物第一像素电极膜层；

所述第二像素电极膜层为铟锡氧化物第二像素电极膜层。

优选地，所述第一像素电极膜层的厚度为所述第二像素电极膜层的厚度为

优选地，采用溅射镀膜工艺沉积所述第一像素电极膜层，其中，功率密度为3kw/m²～30kw/m²，气压为0.1Pa～1.0Pa，惰性气体流量为40sccm～300sccm，温度为25℃～100℃；

采用溅射镀膜工艺沉积所述第二像素电极膜层，其中，功率密度为3kw/m²～30kw/m²，气压为0.1Pa～1.0Pa，惰性气体流量为40sccm～300sccm，温度为25℃～100℃，水汽流量为0sccm～10sccm；

在所述沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层之前，所述阵列基板的制造方法还包括：