[发明专利]晶圆处理方法

说明书

本发明提供一种晶圆处理方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上具有金属污染；将所述晶圆进行湿法处理；将湿法处理后的所述晶圆进行热处理；将热处理后的所述晶圆进行刻蚀处理。本发明提供的晶圆处理方法，对具有金属污染的晶圆进行处理，先通过湿法工艺进行预处理去除晶圆外表面的金属污染，再经热处理可将金属分子析出到晶圆表层，然后经刻蚀处理将晶圆表层上的金属污染去除掉，从而解决了晶圆中金属含量过高的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理方法。

背景技术

随着半导体制造技术的不断发展，晶圆的特征尺寸已进入纳米时代，这也向半导体制造技术提出新的挑战，晶圆越来越薄，低K介质的运用也越来越广泛，因此对晶圆上金属浓度的要求也越来越高，如果金属浓度过高，会影响到晶圆上形成的膜层及器件的电气性能等。

现有的半导体制造技术对晶圆中硅的纯度已经可以做到高达99.9999％，但是在众多的工艺中，难免会受到金属污染，例如，在晶圆从晶锭上切割下来需要的化学机械研磨(CMP)等后段工艺中，以及其它金属沉积工艺中，晶圆上残留的金属分子将有可能影响后面生产出来的芯片的质量。

因此，如何对晶圆进行处理以防止晶圆上金属浓度过高的问题是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆处理方法，解决晶圆上金属浓度过高的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆处理方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆上具有金属污染；

将所述晶圆进行湿法处理；

将湿法处理后的所述晶圆进行热处理；

将热处理后的所述晶圆进行刻蚀处理。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述金属污染包括铜、钛、铬、钼、钨或镍中的一种或多种。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述湿法工艺采用的溶液包括氢氧化铵和过氧化氢。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述热处理的温度为150℃～600℃。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述热处理的气体环境为氮气。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述热处理的时间为2小时～5小时。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述刻蚀处理为湿法刻蚀。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述湿法刻蚀采用的溶液包括硝酸与氢氟酸；或者，采用的溶液包括氢氧化钾与乙丙醇。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述刻蚀处理刻蚀掉厚度在1um以内的热处理后的所述晶圆。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：对刻蚀处理后的所述晶圆进行金属含量测试

可选的，在所述晶圆处理方法中，通过微波光电导衰减测试对刻蚀处理后的所述晶圆进行金属含量测试。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述微波光电导衰减测试包括：所述晶圆为N型掺杂时，测试时间在1000uS以上；或者，所述晶圆为P型掺杂时，测试时间在100uS以上。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述微波光电导衰减测试按密勒指数对刻蚀处理后的所述晶圆进行测试。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：再次进行所述热处理和再次进行所述刻蚀处理。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：将刻蚀处理后的所述晶圆的表面进行氧化处理形成氧化硅层。