[发明专利]一种固定结构件、旋转升降装置和半导体处理设备

说明书

本发明提供一种固定结构件、旋转升降装置和半导体处理设备。该固定结构件包括第一环形结构、第二环形结构和连接件，第一环形结构和第二环形结构相贴合形成环形结构件，连接件活动设置于第一环形结构中，第二环形结构能相对第一环形结构转动，以推动连接件在一定的角度范围内进行摆动，以实现对被固定物进行固定或释放固定。该固定结构件在连接件未对旋转升降机构释放固定之前对旋转升降机构形成很好的承载，从而缩短了安装和拆卸时人为对旋转升降机构的托载时间，进而减小了旋转升降机构的安装和拆卸难度，并降低了旋转升降机构在安装和拆卸时对易碎物件的损坏风险。

技术领域

本发明涉及磁控溅射技术领域，具体地，涉及一种固定结构件、旋转升降装置和半导体处理设备。

背景技术

CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法。通过CVD设备可以进行薄膜外延生长，即在单晶衬底(基片)上生长一层达到一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层。以硅外延为例，硅外延的化学气相沉积外延生长，其原理是在高温(＞1000℃)的衬底上输送硅的化合物(SiHCl₃或SiCl₄或SiH₂Cl₂等)，利用氢气(H₂)在衬底上通过还原反应来析出硅的方法。

CVD设备的核心组件是反应室子系统，反应室子系统的设计方案对于外延层质量和设备产率具有决定性的影响。反应室子系统在硬件上主要由托盘、石英腔、旋转升降装置、加热装置、以及进气装置组成。托盘会在工艺过程中保持一定角速度的旋转，同时为了实现机械手取放片的功能，还要求在托盘下方设计旋转升降机构来带动托盘进行旋转和升降运动。一般情况下，旋转升降装置都会吊接在石英腔外罩的下方，以便带动托盘的旋转升降，这样可以提高石英腔内温度场的均匀性与气流的均匀性。

现有技术一中反应室子系统的结构如图1和图2所示，包括旋转吊接法兰5、旋转升降机构7、安装螺钉8、法兰支撑杆9、托盘6、腔室外罩10。在该子系统中，旋转吊接法兰5通过法兰支撑杆9固定在腔室外罩10上，旋转升降机构7与旋转吊接法兰5相连接的一端端部开设有6个螺孔18，旋转升降机构7通过6个安装螺钉固定在旋转吊接法兰5上，从而使旋转升降机构7悬挂在腔室外罩10下方，旋转升降机构7的旋转轴穿过腔室外罩10下方的圆孔进入腔室中，以带动托盘6实现旋转和升降功能。

现有技术一的反应室子系统结构中，在安装旋转升降机构7时，首先需将旋转升降机构7用力顶在旋转吊接法兰5的下表面，并且使旋转升降机构7端部的螺孔18对准旋转吊接法兰5上的螺钉安装孔；然后采用螺钉8将二者固紧。安装螺钉8时，为了保持安装平衡，首先安装其中对称的三个螺钉8，再拧紧三个螺钉8前必须一直托着旋转升降机构7不能放松，这样才能顺利地将螺钉8拧入螺孔18中。同样，在拆卸过程中，首先拆卸对称的三个螺钉8，当拆卸剩余的另外三个螺钉8时需用力托着旋转升降机构7使其顶在旋转吊接法兰5的下表面，直到剩余的三个螺钉8拆卸完成。

现有技术一的反应室子系统存在以下缺陷：安装拆卸旋转升降机构7时需长时间的用力顶着旋转升降机构7，而旋转升降机构7往往比较沉重，这给安装拆卸造成了很大的困难；同时，一旦用力有所松懈，旋转升降机构7掉下来或者碰到易碎物料，很容易造成易碎物料的损坏。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种固定结构件、旋转升降装置和半导体处理设备。该固定结构件通过设置在法兰上，能够在旋转升降机构安装和拆卸时，在连接件未对旋转升降机构释放固定之前对旋转升降机构形成很好的承载，从而缩短了安装和拆卸时人为对旋转升降机构的托载时间，进而减小了旋转升降机构的安装和拆卸难度，并降低了旋转升降机构在安装和拆卸时对易碎物件的损坏风险。