[发明专利]采用薄膜封装的显示装置有效
申请号: | 201710236856.2 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN107170775B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 贾龙昌;苏聪艺 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 采用 薄膜 封装 显示装置 | ||
本申请公开一种采用薄膜封装的显示装置,包括:阵列基板;电致发光结构,设置于阵列基板之上,电致发光结构包括光提取层;光学补偿层,设置于电致发光结构的光提取层之上,光学补偿层包括第一补偿层和第二补偿层,第二补偿层位于第一补偿层背离电致发光结构的表面,第一补偿层的折射率大于第二补偿层的折射率并且第一补偿层的折射率大于光提取层的折射率;薄膜封装层,包括第一膜层,第一膜层设置于第二补偿层背离第一补偿层的表面。如此方案,在电致发光结构的光提取层和薄膜封装层之间加入光学补偿层,利用光学补偿层形成微腔效应,从而解决了现有技术薄膜封装的显示装置与玻璃胶封装的显示装置对比,会产生较大色偏的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种采用薄膜封装的显示装置。
背景技术
近年来,有机电致发光器件(OLED,Organic Light-Emitting Diode)已经成为海内外非常热门的平板显示器产业,被喻为下一代的“明星”平板显示技术,这主要是因为OLED具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、面板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式面板、制程简单、低成本等特点。
由于OLED显示器的发光光谱比较宽,因此提高色纯度对于现实应用至关重要,而利用微腔结构可以提高OLED显示器发光的色纯度,并提高发光效率。通常,OLED的封装方式有两种,一种是玻璃胶封装,另一种是薄膜封装。图1示出了现有技术中采用玻璃胶封装的显示装置中显示面板截面的一种构成示意图,图2示出了现有技术中采用薄膜封装的显示装置中显示面板截面的一种构成示意图。
参见图1,当采用玻璃胶封装时,OLED显示装置中电致发光结构60的光提取层61与封装盖板90之间环境为真空70,光从光提取层61向真空70的入射属于光密介质向光疏介质的入射,会有反射的发生,从而产生微腔效应。
参见图2,当采用薄膜封装时,OLED显示装置中电致发光结构60的光提取层61与薄膜封装层80直接接触,中间没有真空的环境,而且光提取层61和薄膜封装层80的折射率相差较小,光从光提取层61向薄膜封装层80入射时反射程度减小,难以产生像玻璃胶封装时的微腔效应,因此相比于玻璃胶封装,薄膜封装将会产生较大的色偏。
因此,如何减小薄膜封装的显示装置和玻璃胶封装的显示装置之间的色偏成为现阶段亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本申请所要解决的技术问题是提供一种采用薄膜封装的显示装置,在电致发光结构的光提取层和薄膜封装层之间加入光学补偿层,利用光学补偿层形成微腔效应,从而解决了现有技术不能减小薄膜封装的显示装置和玻璃胶封装的显示装置之间的色偏的问题。
为了解决上述技术问题,本申请有如下技术方案:
一种采用薄膜封装的显示装置,其特征在于,包括:
阵列基板;
电致发光结构,设置于所述阵列基板之上,所述电致发光结构包括光提取层;
光学补偿层,设置于所述电致发光结构的所述光提取层之上,所述光学补偿层包括第一补偿层和第二补偿层,所述第二补偿层位于所述第一补偿层背离所述电致发光结构的表面,所述第一补偿层的折射率大于所述第二补偿层的折射率并且所述第一补偿层的折射率大于所述光提取层的折射率;
薄膜封装层,包括第一膜层,所述第一膜层设置于所述第二补偿层背离所述第一补偿层的表面。
可选地,其中:
所述第一补偿层与所述第二补偿层的折射率之差等于所述光提取层和真空之间的折射率之差。
可选地,其中:
所述第一补偿层与所述第二补偿层的折射率之差的范围为0.8至0.9。
可选地,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的