[发明专利]一种转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法

权利要求书

1.一种转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征是包括以下步骤：

(1)制备银纳米线透明导电薄膜：

在清洁衬底上旋涂银纳米线乙醇分散液，得到银纳米线透明导电薄膜，放置于120℃加热板上烘干后，在烘箱中热处理30min，增大导电网络中银线与银线的粘结性；

(2)制备二氧化硅气凝胶/AgNWs复合导电薄膜：

在银纳米线透明导电薄膜上旋涂二氧化硅气凝胶分散液，制得二氧化硅气凝胶/AgNWs复合导电薄膜，并放置于120℃加热板上烘干；

(3)制备柔性银纳米线透明导电薄膜：

将混合均匀的PDMS涂布至二氧化硅气凝胶/AgNWs复合导电薄膜的表面后加热固化，固化后，得到AgNWs-二氧化硅气凝胶-PDMS复合电极，在透过率大于80％的情况下，转移前后的方阻分别为11.35Ω·sq^-1和13.34Ω·sq^-1，方阻增大程度小，转移后仍保持良好的导电率；将固化后的PDMS直接从玻璃衬底上剥离，实现银纳米线透明导电薄膜的转移，得到柔性银纳米线透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(1)中所述清洁衬底为玻璃衬底。

3.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(1)中所述银纳米线的直径为100～300nm，长度为100～150μm。

4.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(1)中，采用匀胶机以转速为1000～1600转/分钟进行旋涂，沉积1～4层形成不同排列密度的银纳米线薄膜，热处理温度为200℃～250℃。

5.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(2)中，所述二氧化硅气凝胶分散液是将气相纳米二氧化硅以4ωt％分散于无水乙醇中形成的。

6.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(2)中，采用匀胶机以转速为500～1000转/分钟进行旋涂。

7.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(3)中，PDMS是采用美国道康宁184硅橡胶以预聚物和固化剂按质量比10：1混合均匀。

8.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(3)中，所述涂布方法为旋涂法、迈耶棒法和滴涂法中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的转移银纳米线透明导电薄膜到柔性衬底的方法，其特征在于步骤(3)中，所述加热固化工艺为：温度60℃～120℃，时间30min～6h。

10.权利要求1至9中任一所述方法制备的柔性银纳米线透明导电薄膜用作制备柔性光电器件的材料。