[发明专利]一种航天大功率混和集成电路的版图结构在审
| 申请号： | 201710227534.1 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106960843A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张剑;王晓漫;张勇;李寿胜;卢道万;周曦 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 耿英,董建林 |
| 地址： | 233040*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 航天 大功率 混和 集成电路 版图 结构 | ||
1.一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，采用三氧化二铝基板，基板上焊接的功率芯片通过铝丝键合线或/金丝键合互连；
对于按照版图上的器件工作电压划分的高电压版图区与低电压版图区采用绝缘介质隔离，或增加高压版图区与低压版图区之间的间距；
在基板上用于焊接过渡芯片的焊接区周围设置将熔化的焊料限定在固定区域的介质阻挡栅。
2.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，基板上焊接的大功率芯片通过铝丝键合线互连，小功率芯片通过金丝键合互连。
3.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，采用FK1071型PtAg导体浆料作为版图上的导体和焊接区材料。
4.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，绝缘介质和/或介质阻挡栅采用FK4027型玻璃釉浆料。
5.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，芯片、基板和封装外壳的热膨胀系数相匹配。
6.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，输出I/O口的冗余设计，电源地端口采用并联设计。
7.根据权利要求1所述的一种航天大功率混和集成电路的版图结构，其特征在于，氮化铝基板通过背面金属化线条焊接组装在金属外壳上，输出引线从金属外壳的侧墙引出，基板上的电路与输出引线通过镀银铜丝焊接互连。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
