[发明专利]一种电极制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种电极制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。

背景技术

现有技术的氧化物半导体薄膜晶体管中，一般选择铜Cu作为源极和漏极材料，为了防止铜与氧化物半导体接触被氧化，以及防止Cu在设置源漏极之后的工艺中被氧化，需要将Cu金属层设置于上下两层缓冲层(Buffer)之间，形成Buffer/Cu/Buffer三层结构，之后再对Buffer/Cu/Buffer三层结构进行图形化处理，形成源极或漏极。但是，在对Buffer/Cu/Buffer三层结构进行图形化处理的工艺中，光刻胶与上层Buffer接触，由于Buffer与光刻胶的粘附力较差，Buffer与光刻胶之间会产生空隙，造成光刻胶脱落，在对Buffer/Cu/Buffer三层结构进行刻蚀的过程中，刻蚀液会渗透到Buffer与光刻胶之间的空隙中，这会造成Buffer/Cu/Buffer三层结构过刻。

综上所述，现有技术中防止Cu被氧化的结构在源漏极刻蚀的过程中会出现过刻，影响薄膜晶体管的生产良率和工作稳定性。

发明内容

本申请实施例提供了一种电极制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，用以防止金属电极结构在图形化处理的刻蚀过程中被过刻，以及防止金属电极结构被氧化，从而提高了金属电极结构的制作良率，提升产品工作稳定性。

本申请实施例提供的一种电极制作方法，该方法包括：

设置金属电极层，进行图形化处理，得到金属电极结构；

在所述金属电极结构的表面设置保护层：采用电镀法将所述金属电极结构置于含有金属材料的电镀溶液中进行电镀，在所述金属电极结构的表面形成含有所述金属材料的保护层。

本申请实施例提供的电极制作方法，在设置金属电极层之后进行图形化处理，在图形化工艺中，光刻胶设置在金属电极层表面，光刻胶与金属电极层之间未设置Buffer，从而不会出现Buffer和光刻胶粘附力差产生缝隙导致金属电极结构被过刻的问题，并且，在图形化处理之后，在金属电极结构的表面设置保护层，可以防止金属电极结构由于暴露在空气中被氧化或者在后续工艺流程中被氧化，从而提高了电极制作良率，提升了产品工作稳定性和可靠性，采用电镀法在所述金属电极结构的表面设置保护层，工艺流程简单，操作方便，容易实现。

较佳地，采用电镀法将所述金属电极结构置于含有金属材料的电镀溶液中进行电镀，在所述金属电极结构的表面形成含有所述金属材料的保护层具体包括：所述金属电极结构与负极导线连接、所述金属材料与正极导线连接，在清洁活化反向电流密度范围在50～60安培/平方分米、冲击电流密度范围在40～50安培/平方分米、电镀维持电流密度范围在40～55安培/平方分米以及电镀槽液工作温度范围在50～60摄氏度的情况下进行电镀。

较佳地，在设置金属电极层之前，所述方法还包括，设置缓冲层。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法，采用本申请实施例提供的电极制作方法制得下列电极之一或组合：栅极、公共电极、源极、漏极。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：采用本申请实施例提供的电极制作方法制得的金属电极结构。

较佳地，所述缓冲层包括钼铌合金，所述金属电极层的材料包括铜。

较佳地，所述保护层的材料包括钼。

较佳地，所述金属电极结构，包括下列电极之一或组合：栅极、源极、漏极。

本申请实施例提供的一种阵列基板，包括本申请实施例提供的薄膜晶体管，和/或，采用本申请实施例提供的电极制作方法制得的公共电极。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种电极制作方法流程示意图；

图2为本申请实施例提供的一种金属电极结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种栅极制作方法的流程示意图；

图4为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种阵列基板制作方法流程示意图。

具体实施方式