[发明专利]硅基光探测器阵列结构

说明书

本发明提供一种硅基光探测器阵列结构，所述硅基光探测器阵列结构包括：多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径。本发明通过在相邻所述硅基光探测器之间形成深槽，可以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基光探测器阵列结构边缘的所述硅基光探测器的光电流和位于所述硅基光探测器阵列结构中心的所述硅基光探测器的光电流相接近。

技术领域

本发明属于光探测技术领域，特别是涉及一种硅基光探测器阵列结构。

背景技术

现有的硅基光探测器阵列结构如图1所示，所述硅基光探测器阵列包括多个呈阵列分布的硅基光探测器1，各所述硅基光探测器1之间相隔一定的间距。但由于光电流在所述硅基光探测器1之间及下方的本征半导体层内产生，相邻所述硅基光探测器1之间存在光电流串扰的问题：即当光均匀入射时，位于所述硅基光探测器阵列结构最边缘的两个所述硅基光探测器1的光电流明显小于位于中心的所述硅基光探测器1的光电流，如图2所示，图2为图1所示的硅基光探测器阵列结构的光电流响应图，图1以所述硅基光探测器阵列结构包括16个所述硅基光探测器1为例，且将16个硅基光探测器1依次进行1至16的标号，由图2可知，位于最边缘的所述硅基光探测器1的光电流响应值仅为位于中心的所述硅基光探测器1的光电流响应值75％，从而影响所述硅基光探测器阵列结构的性能。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅基光探测器阵列结构，用于解决现有技术中的硅基光探测器阵列结构中相邻硅基光探测器之间存在光电流串扰而导致的最边缘的硅基光探测器的光电流明显小于位于中心的硅基光探测器的光电流的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅基光探测器阵列结构，所述硅基光探测器阵列结构包括：

多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；

深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述硅基光电探测器阵列结构包括：

I型半导体层，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

多个P型半导体区域，位于所述I型半导体层内，且呈间隔分布；所述P型半导体区域的上表面与所述I型半导体层的第一表面相平齐；

N型半导体层，位于所述I型半导体层的第二表面；

所述深槽位于所述P型半导体区域之间的所述I型半导体层内。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述深槽的深度大于所述P型半导体区域的深度，且小于所述I型半导体层的厚度。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述深槽的宽度小于相邻所述P型半导体区域的间距。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述深槽的宽度小于或等于相邻所述P型半导体区域间距的一半。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述深槽的边缘至最邻近的所述P型半导体区域的间距相等。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述I型半导体层为本征半导体层，所述P型半导体区域为P型重掺杂半导体区域，所述N型半导体层为N型重掺杂半导体层。

作为本发明的硅基光探测器阵列结构的一种优选方案，所述深槽纵截面的形状为矩形、U型、倒三角形或倒梯形。