[发明专利]硅基光探测器阵列结构在审
| 申请号： | 201710207630.X | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666326A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李文刚 | 申请（专利权）人： | 江苏尚飞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/02;H01L31/105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 226009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅基 光探测器 光探测器阵列 光电流 串扰 深槽 结构边缘 结构中心 阵列分布 减小 相隔 | ||
1.一种硅基光探测器阵列结构，其特征在于，包括：所述硅基光探测器阵列结构包括：
多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；
深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径。
2.根据权利要求1所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述硅基光电探测器阵列结构包括：
I型半导体层，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
多个P型半导体区域，位于所述I型半导体层内，且呈间隔分布；所述P型半导体区域的上表面与所述I型半导体层的第一表面相平齐；
N型半导体层，位于所述I型半导体层的第二表面；
所述深槽位于所述P型半导体区域之间的所述I型半导体层内。
3.根据权利要求2所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述深槽的深度大于所述P型半导体区域的深度，且小于所述I型半导体层的厚度。
4.根据权利要求2所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述深槽的宽度小于相邻所述P型半导体区域的间距。
5.根据权利要求4所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述深槽的宽度小于或等于相邻所述P型半导体区域间距的一半。
6.根据权利要求2所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述深槽的边缘至最邻近的所述P型半导体区域的间距相等。
7.根据权利要求2所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述I型半导体层为本征半导体层，所述P型半导体区域为P型重掺杂半导体区域，所述N型半导体层为N型重掺杂半导体层。
8.根据权利要求1所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述深槽纵截面的形状为矩形、U型、倒三角形或倒梯形。
9.根据权利要求2至8中任一项所述的硅基光探测器阵列结构，其特征在于：所述硅基光探测器阵列结构还包括：
上电极，位于所述P型半导体区域的表面；
下电极，位于所述N型半导体层的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
