[发明专利]以功函数材料层凹陷形成自对准接触结构的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包含：

在第一介电层中形成第一多个栅极凹穴；

在该第一多个栅极凹穴中形成功函数材料层；

在该功函数材料层上方的该第一多个栅极凹穴的至少一子集中形成第一导电材料以界定第一多个栅极结构；

在该第一多个栅极结构其中二者之间的该第一介电层中形成第一接触凹陷；

在该第一接触凹陷中形成第二导电材料；

使该功函数材料层选择性凹陷至该第一导电材料与该第二导电材料，以分别在相邻该第一导电材料的第一上表面与相邻该第二导电材料的第二上表面的该第一多个栅极凹穴的该子集中界定多个覆盖凹陷；以及

在该多个覆盖凹陷中形成包含介电材料的覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一多个栅极凹穴包含：

形成多个占位栅极结构；

形成相邻该占位栅极结构的间隔物；

在该占位栅极结构上方形成该第一介电层；

平坦化该第一介电层以曝露该占位栅极结构；以及

移除该占位栅极结构以界定该第一多个栅极凹穴。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在该第一多个栅极结构其中二者之间的该第一介电层中形成该第一接触凹陷包含：

进行自对准蚀刻程序以移除在该第一多个栅极结构的第一栅极结构的第一侧壁间隔物与该第一多个栅极结构的第二栅极结构的第二侧壁间隔物之间的该第一介电层的一部分。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个栅极凹穴各形成于一对间隔物之间，至少一些的该间隔物具有比该第一介电层的第二顶端表面更低的第一顶端表面，并且该方法更包含平坦化该第一介电层、该对间隔物、该第一导电材料、该第二导电材料、及该功函数材料层，以便提供具有比该第一顶端表面在该平坦化前的先前高度更小的高度的该第一介电层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个栅极凹穴各形成于一对间隔物之间，该间隔物具有比该第一介电层的第二顶端表面更低的第一顶端表面，以及形成该第二导电材料包含在该间隔物的该顶端表面上方形成该第二导电材料的一部分，用以界定相较于该导电材料的底端部分具有已增宽度的该第二导电材料的顶端部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个栅极凹穴包括具有第一宽度的第一栅极凹穴、及具有比该第一宽度更小的第二宽度的第二栅极凹穴，形成该功函数材料层包含以该功函数材料层填充该第二栅极凹穴，以及形成该第一导电材料包含在该第一栅极凹穴中形成该第一导电材料。

7.如权利要求1所述的方法，更包含平坦化该覆盖层以移除该第一介电层上方延展的部分。

8.如权利要求3所述的方法，其中，进行该自对准蚀刻程序包含在该第一介电层上方形成掩模层，该掩模层具有在该第一栅极结构上方安置有第一边缘及在该第二栅极结构上方安置有第二边缘的开口以曝露该第一介电层的该部分。

9.如权利要求4所述的方法，更包含：

在该第一介电层上方形成第二介电层；

在该第二介电层中形成使该第二导电材料的该第二上表面的一部分曝露的接触开口；以及

在该接触开口中形成第三导电材料。

10.如权利要求5所述的方法，更包含：

在该第一介电层上方形成第二介电层；

在该第二介电层中形成使该第二导电材料的该第二上表面曝露的接触开口；以及

在该接触开口中形成第三导电材料。

11.如权利要求9所述的方法，更包含在形成该覆盖层后且在形成该第二介电层前，使该第一导电材料与该第二导电材料凹陷。