[发明专利]晶片载置装置

说明书

本发明提供一种晶片载置装置。该晶片载置装置(30)具备：具有晶片载置面的陶瓷基体(32)、埋设于陶瓷基体(32)的加热电极(34)，以及从陶瓷基体(32)的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极(34)的Cu制的供电杆(36、37)。供电杆(36)优选在螺纹结合之前的状态下，将一端作为固定端，另一端作为自由端，求出在从固定端起向着自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与应变1mm对应的应力落入5～10N的范围内。

技术领域

本发明涉及晶片载置装置。

背景技术

以往，作为这种晶片载置装置，已知例如专利文献1中公开的装置。如图4所示，该晶片载置装置具备：陶瓷基体102、埋设于该陶瓷基体102的加热电极104、以及Ni制的供电杆108，该供电杆108从陶瓷基体102的与晶片载置面相反一侧的面电连接于加热电极104的埋设端子106。在加热电极104的埋设端子106与供电杆108之间设有应力缓和层110。应力缓和层110通过焊接层112与加热电极104的埋设端子106接合，并通过焊接层114与供电杆108接合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利5029257号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，上述晶片载置装置中，供电杆108是Ni制的，因此，在对加热电极104供给电流时，在供电杆108的周围产生磁场，有可能对半导体制造工艺产生不良影响。

本发明为了解决这样的课题而完成，其主要目的在于，抑制在供电杆的周围产生磁场。

用于解决问题的方法

本发明的晶片载置装置具备：

具有晶片载置面的陶瓷基体、

埋设于前述陶瓷基体的静电电极、加热电极和高频电极中的至少1个电极、以及

从前述陶瓷基体的与晶片载置面相反一侧的面电连接于前述电极的Cu制的供电杆。

在该晶片载置装置中，介由非磁性材料的Cu制的供电杆向电极供给电力，因此能够抑制在供电杆周围产生磁场。由此，能够防止在半导体制造工艺中发生晶片中仅有供电杆周围的处理结果发生变化这样的状况。

本发明的晶片载置装置中，对于前述供电杆，优选将一端作为固定端，另一端作为自由端，并求出在从前述固定端起向着前述自由端为50mm的位置施加的应力与该位置的应变的关系时，与前述应变1mm对应的应力落入5～10N的范围。供电杆的一端连接于电极，另一端固定于固定用器具。将供电杆的另一端固定于固定用器具时，虽然在供电杆承受负荷，但由于供电杆具有上述的应力与应变的关系，因此能够自行吸收该负荷。因此，供电杆与电极的连接部位不会承受大的负荷。需说明的是，上述的应力与应变的关系可以通过例如对供电杆进行退火来获得。

本发明的晶片载置装置具备连接端子，所述连接端子介由Au-Ni焊接层接合于前述电极，或者介由Au-Ni焊接层接合于耐热性应力缓和层的一面，所述耐热性应力缓和层的另一面与前述电极接合；前述陶瓷基体为AlN制，前述电极和前述连接端子为Mo制或Mo合金制，前述供电杆可以紧固于前述连接端子。耐热性应力缓和层是指耐热温度为1000℃以上的应力缓和层。如果这样设计，则由于任一构成要素的耐热温度都高，因此即使在半导体制造工艺的温度高的情况下也能够使用本发明的晶片载置装置。需说明的是，即使在Mo制或Mo合金制的连接端子的周围产生了磁场，由于连接端子的长度比供电杆短，因此其影响也小。