[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器块，该存储器块包括多个单元串，所述多个单元串联接在位线和源线之间；

外围电路，该外围电路被配置为设定用于所述单元串中的被选存储器单元的编程操作的电压，并且利用所设定的电压来对所述被选存储器单元进行编程；以及

控制电路，该控制电路被配置为响应于编程命令来控制所述外围电路对所述被选存储器单元进行编程，并且在所述被选存储器单元被编程的同时增大包括未选存储器单元的未选单元串的通道电压，

其中，通过增大施加至所述源线的电压来增大所述通道电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路控制所述外围电路根据所述被选存储器单元的目标电压、所述编程操作中使用的验证电压以及所述编程操作所花费的编程时间中的至少一个来增大所述通道电压。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制电路控制所述外围电路根据所述目标电压、所述验证电压和所述编程时间中的至少一个的增大来逐步增大所述通道电压。

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当根据所述目标电压来增大所述通道电压时，所述控制电路将预设目标电压与被设定为高于所述预设目标电压的目标电压进行比较，并且当所述目标电压低于所述预设目标电压时将所述通道电压维持在预充电电压，当所述目标电压等于或高于所述预设目标电压时增大所述预充电电压。

5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当根据所述验证电压来增大所述通道电压时，所述控制电路将预设验证电压与被设定为高于所述预设验证电压的验证电压进行比较，并且当所述验证电压低于所述预设验证电压时将所述通道电压维持在预充电电压，当所述验证电压等于或高于所述预设验证电压时增大所述预充电电压。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，当根据所述编程时间来增大所述通道电压时，所述控制电路将预设编程时间与被设定为比所述预设编程时间长的编程时间进行比较，并且当所述编程时间比所述预设编程时间短时将所述通道电压维持在预充电电压，当所述编程时间等于或长于所述预设编程时间时增大所述预充电电压。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述单元串包括连接在所述源线和所述位线之间的源极选择晶体管、存储器单元和漏极选择晶体管。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当通过施加至所述源线的所述电压来增大所述通道电压时，所述外围电路增大施加至所述源线的所述电压。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当通过施加至所述源线的所述电压来增大所述通道电压时，所述外围电路增大用于使所述源极选择晶体管导通的源极选择线电压。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当通过施加至所述位线的电压来增大所述通道电压时，所述外围电路增大用于使所述漏极选择晶体管导通的漏极选择线电压。

11.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

将预设编程操作条件与编程操作条件进行比较；

作为比较结果，当所述编程操作条件低于所述预设编程操作条件时，将未选单元串的通道电压维持在设置的电平；

当所述编程操作条件等于或高于所述预设编程操作条件时，增大所述通道电压；以及

基于所维持的通道电压和增大的通道电压中的一个来对包括在被选单元串中的被选存储器单元进行编程，

其中，所述未选单元串和所述被选单元串被联接在位线和源线之间，并且

其中，通过增大施加至所述源线的电压来增大所述通道电压。

12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，所述编程操作条件包括目标电压、验证电压和编程时间中的至少一个。