[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：基板保持工具，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠为多层，具有在铅垂方向上分隔所述多个基板所堆叠的区域的多个分隔板；处理容器，其能够收容该基板保持工具；突出部，其以从该处理容器内的与所述分隔板的外周侧面相对的内周壁面朝向所述分隔板的外周侧面向内侧突出的方式延伸，在形成于突出了的顶端的内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间形成有间隙；以及气体供给部件，其能够向形成在该突出部的所述内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间的所述间隙供给非活性气体而形成压力比周围的压力高的正压部。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术

以往公知有一种包括以下工序的半导体装置的制造方法：向设置在反应管的内部的处理室搬入在与基板处理面垂直的方向上配置有多张的基板，该反应管以被加热装置包围外周的方式设置；向以至少到达加热装置的外侧的方式设置在反应管的内部且设置在反应管的侧面的位于处理基板的区域的部分的气体导入管导入气体，从以在与基板处理面垂直的方向上跨着至少两张以上基板的大小设置成狭缝状的喷出口向处理室喷出气体，处理基板。

在该半导体装置的制造方法中，在基板处理工序中，向后述的多个气体导入划分部导入气体，从分别设置在多个气体导入划分部的喷出口向处理室喷出气体，针对多个气体导入划分部的每个气体导入划分部形成侧流，使进入到基板之间的气体量均匀，欲提升多张基板的面内、面间的均匀性；前述的气体导入划分部设置在气体导入管内，是在与基板处理面垂直的方向上由划分壁划分成的。

发明内容

发明要解决的问题

但是，在上述的半导体装置的制造方法的结构中，即使气体导入划分部被划分壁划分，在划分壁和基板之间也存在在垂直方向上未划分的间隙，成为气体能够通过该间隙上下往来的状态，因此，存在难以在气体导入划分部内形成具有均匀的气体量的侧流这样的问题。

此外，在处理室内中，在上部和下部易于产生微粒，但由于该微粒也能够在上述的间隙中上下自由地移动，因此，很难有效地抑制微粒散布在基板上。

因此，本发明提供一种这样的基板处理装置：能够抑制气体和微粒在划分区域之间往来，面间均匀性和面内均匀性良好，并且能够抑制微粒向基板上散布。

用于解决问题的方案

本发明的一个技术方案的基板处理装置包括：

基板保持工具，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠为多层，具有在铅垂方向上分隔所述多个基板所堆叠的区域的多个分隔板；

处理容器，其能够收容该基板保持工具；

突出部，其以从该处理容器内的与所述分隔板的外周侧面相对的内周壁面朝向所述分隔板的外周侧面向内侧突出的方式延伸，在形成于突出了的顶端的内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间形成间隙；以及

气体供给部件，其能够向形成在该突出部的所述内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间的所述间隙供给非活性气体而形成压力比周围的压力高的正压部。

附图说明

附图作为本说明书的一部分编入而表示本申请的实施方式，与上述一般的说明和后述的实施方式的详细内容一同说明本申请的概念。

图1是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的一例子的整体结构的图。

图2是将本发明的第1实施方式的基板处理装置的晶圆舟皿和内管的相对面附近的结构放大地表示的剖视图。

图3是表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的一例子的剖视图。

图4是表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的一例子的剖视图。