[发明专利]一种以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池结构依次为：基底、透明导电电极、电子传输层、碳纳米点层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和金属电极。

2.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的碳纳米点层中，碳纳米点材料尺寸为5纳米至15纳米之间。

3.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的基底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇脂或聚醚砜树脂制成的柔性基底，或者，为玻璃制成的刚性基底。

4.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的透明导电电极为氧化铟锡ITO、掺氟氧化锡FTO或掺铝氧化锌AZO。

5.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的电子传输层为氧化钛、氧化锌或石墨烯，厚度为5纳米至100纳米之间。

6.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的钙钛矿光吸收层是具有钙钛矿通式结构ABX₃的材料，其中A是一价有机或无机阳离子，B是二价金属离子，X是卤素阴离子，厚度为200纳米至500纳米之间。

7.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的空穴传输层采用空穴传输层Spiro-OMeTAD(2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴)，厚度为5纳米至150纳米之间。

8.根据权利要求1所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述的金属电极为金、银或铝金属，厚度为50纳米至200纳米之间。

9.权利要求1-8所述以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：在溅射有透明导电电极的基底上，依次旋涂电子传输层、碳纳米点层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层，最后热蒸镀金属电极。

10.根据权利要求9所述的以碳纳米点界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：用于旋涂碳纳米点层的碳纳米点水溶液中，碳纳米点的摩尔浓度为2-20mol/L。