[发明专利]一种水性碳化硅晶片研磨液及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710187218.6 申请日: 2017-03-27
公开(公告)号: CN106967386B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 杨三贵;王锡铭;孙安信 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 张宇锋
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 水性 碳化硅 晶片 研磨 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种水性碳化硅晶片研磨液,其特征在于,所述研磨液包括以下重量份的组分:

碳化硼微粉8-35份、添加剂0.1-3份、pH调节剂 0.05-1份和纯水或去离子水63-90份;

所述碳化硼微粉的粒径为20-80微米;

所述碳化硼微粉的晶体结构为菱方形;

所述添加剂是由含有醚醇类非离子表面活性剂、含有氮化合物的螯合剂、含异丙醇的助清洗剂、含二甲基硅油或矿物质油的防锈剂按一定比例混合而成的液体。

2.根据权利要求1所述的水性碳化硅晶片研磨液,其特征在于,所述pH调节剂为碳酸氢钠、氢氧化钠、氢氧化铵的一种或多种的混合物。

3.一种权利要求1-2任一所述的水性碳化硅晶片研磨液的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

1)先将一定量的纯水或去离子水加入搅拌桶;

2)启动搅拌电机;

3)将一定重量的碳化硼微粉徐徐加入搅拌桶中进行搅拌,使粉、基液混合均匀;

4)向混合液中先后加入添加剂和pH调节剂,继续搅拌,直至研磨液制作完成;

步骤2)中电极的转速为50-200RPM;

步骤3)中搅拌的时间为5-10分钟;

步骤4)中搅拌的时间为5-10分钟;制作完成的研磨液的pH值为7.8-9。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京世纪金光半导体有限公司,未经北京世纪金光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710187218.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top