[发明专利]基板制程、基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种基板制程，其特征在于，所述制程包括步骤：

提供一基板；

对所述基板进行第一光阻涂布；

对经所述第一光阻涂布处理后的所述基板进行真空干燥处理；

对经真空干燥处理后的所述基板进行预烘干处理后，去除所述第一光阻内的溶剂，再进行曝光处理，并使用光罩遮挡部分所述第一光阻；

对经曝光处理后的所述基板进行显影处理，形成第一光阻阵列；

对经显影处理后的所述基板进行第一次热风刀处理，使得所述第一光阻结构更加稳定，并不产生其他附属物；所述第一次热风刀处理步骤中的温度范围为130～150℃。

2.如权利要求1所述的基板制程，其特征在于，所述第一次热风刀处理步骤中的时间范围为40～100s。

3.如权利要求1所述的基板制程，其特征在于，所述第一次热风刀处理步骤之后还包括以下步骤：

进行第二光阻涂布；

对经所述第二光阻涂布处理后的所述基板进行真空干燥处理；

对经真空干燥处理后的基板进行曝光处理，并使用光罩遮挡部分所述第二光阻；

对经曝光处理后的所述基板进行显影处理，形成第二光阻阵列；

对经显影处理后的所述基板进行第二次热风刀处理。

4.如权利要求3所述的基板制程，其特征在于，所述第二次热风刀处理步骤之后还包括以下步骤：

进行第三光阻涂布；

对经所述第三光阻涂布处理后的所述基板进行真空干燥处理；

对经真空干燥处理后的基板进行曝光处理，并使用光罩遮挡部分所述第三光阻；

对经曝光处理后的所述基板进行显影处理，形成第三光阻阵列；

对经显影处理后的所述基板进行第三次热风刀处理。

5.如权利要求4所述的基板制程，其特征在于，所述第三次热风刀处理步骤之后还包括以下步骤：

进行保护层的镀膜，所述保护层形成于第一光阻阵列、第二光阻阵列及第三光阻阵列的表面；

于所述保护层的表面镀导电膜。

6.如权利要求1至5任一所述的基板制程，其特征在于，所述第一光阻的熔点范围为70～80℃。

7.一种基板，其特征在于，所述基板采用上述权利要求1至6任一所述的基板制程制成，包括本体、设于所述本体表面并形成有阵列式凹槽的黑色树脂层、依次并排设于阵列式凹槽中的第一光阻阵列、第二光阻阵列与第三光阻阵列、及依次重叠设于所述第一光阻阵列、所述第二光阻阵列与所述第三光阻阵列表面的保护层与导电膜。

8.一种显示面板，其特征在于，包括第一基板与第二基板、及夹设于两者之间的液晶层，所述第一基板为权利要求7所述的基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示面板与背光模组，所述背光模组靠近所述第二基板的一侧设置。