[发明专利]具有用于在囊封体中形成开口的延伸结构的封装装置有效

专利信息
申请号: 201710176961.1 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107230643B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 列奥·M·希金斯III 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 囊封体中 形成 开口 延伸 结构 封装 装置
【说明书】:

一种封装装置包括位于所述封装装置的主侧面处的延伸结构。所述延伸结构限定包括所述主侧面上的囊封材料的外部区域,以及其中在所述主侧面处的所述装置的一部分上无囊封体的内部区域。所述延伸结构防止囊封体在囊封过程期间进入所述内部区域中。

技术领域

发明涉及在囊封体中具有开口的装置封装。

背景技术

封装装置包括诸如半导体管芯或独立电子装置等囊封在囊封体中的装置,所述囊封体使得装置能够在系统(例如,诸如计算机、电话、膝上型计算机等电子系统或使用诸如机动车、电器、机器人设备等装置的其它系统)中使用。封装装置可包括用于向装置提供通信信号线和电源的外端(例如引线、垫片、凸块)。

对于一些封装装置,期望在囊封体中具有开口以暴露装置的部分以供在系统中使用。举例来说,一些类型的传感器包括需要经暴露以精确地感应所期望的状况的表面。作为例子,辐射传感器包括用以感应α粒子辐射的表面。在另一例子中,光通信装置(例如光电二极管)需不含囊封体以便进行恰当操作。在又另一例子中,离子传感器(诸如离子选择性场效应晶体管或离子感应性场效应晶体管(ISFET))需要在装置上具有传感器区域以不含囊封体,以便确定具体离子是否存在于感应环境中。

可通过薄膜辅助模制技术形成此类开口,其中将结构、薄膜或其它物质放入囊封体开口的所期望的位置中,使得囊封体在囊封期间不占据所期望的开口的区域。在囊封过程完成之后,从囊封装置移除所述结构、薄膜或物质。在另一例子中,压模机壁可包括非平面表面,所述非平面表面具有在囊封过程期间延伸到装置的部分。所述压模机壁的延伸部分在囊封期间与装置(或装置上的薄膜)接触以在装置上形成开口。

在其它实施例中,可将装置插入到包括凹穴和引线框的预制结构中。预制凹穴可由具有物理地耦合到引线框的侧壁的预模制聚合物或陶瓷结构限定。对于一些预制结构,可使用具有开口的盖以在置放装置之后关闭凹穴,在置放装置处在所述盖暴露所述预制结构内部的装置的所期望的区域。

发明内容

一种制造封装装置的方法,包括:

形成具有引线框的总成,其中所述形成所述总成包括:

将装置附接到到所述引线框,其中所述装置包括位于所述装置的第一侧处的第一区域;

将所述装置的外端电耦合到所述引线框的引线;

其中在所述形成之后,所述总成包括延伸结构,所述延伸结构包围包围区域,所述包围区域包括所述装置的所述第一区域;

将所述总成囊封在囊封体中,其中所述囊封包括:

在模制结构中将囊封体应用于所述总成,其中所述模制结构包括具有第一表面的壁,所述第一表面在所述应用囊封体期间面向所述引线框的第一侧,所述壁的所述第一表面包括平坦表面部分,其中在所述应用所述囊封体期间,所述延伸结构与所述平坦表面部分接触,使得防止囊封体到达由所述延伸结构限定的所述平坦表面部分的内部部分,且囊封体接触位于所述延伸结构外部的所述平坦表面部分的外部部分,其中作为所述应用囊封体的结果,囊封体不位于第一区域且囊封体位于所述引线框的所述第一侧上的所述引线框的至少一部分与所述平坦表面部分的所述外部部分之间;

其中所述封装装置包括所述延伸结构、所述引线框的至少一部分、所述装置和所述囊封体的至少一部分。

在一个实施例中,所述延伸结构与所述引线框成一体。

在一个实施例中,所述延伸结构是通过蚀刻所述引线框的部分而形成以从所述延伸结构的厚度减小所述引线框的厚度,其中所述引线框的被蚀刻的所述部分包括位于所述延伸结构外部的所述引线框的所述引线的部分。

在一个实施例中,所述延伸结构的至少一部分为独立于所述引线框形成且附接到所述引线框的结构。

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