[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：

将衬底搬入的工序，所述衬底具有：层叠膜，所述层叠膜具有绝缘膜和牺牲膜；在所述层叠膜中形成的沟道孔穴；在所述沟道孔穴内的表面上设置的电荷俘获膜；在所述电荷俘获膜的表面上设置的第一沟道膜；和在所述沟道孔穴的底部露出的公共源极线路，

接收在所述第一沟道膜形成并被蚀刻后的所述沟道孔穴的孔径的分布数据的工序，和

以基于所述分布数据而对所述孔径的分布进行修正的方式，向所述衬底的中心侧和外周侧分别供给第一处理气体和第二处理气体，从而在所述第一沟道膜表面上形成第二沟道膜的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述第一沟道膜上形成所述第二沟道膜的工序中，

使所述第二沟道膜的侧壁的厚度与所述第一沟道膜的侧壁的厚度的合计膜厚的表面内分布成为规定范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，包括：

获得在所述层叠膜中形成了沟道孔穴的衬底的、所述沟道孔穴的孔径在所述衬底的表面内的分布数据的工序，

以基于所述孔径的分布数据而对所述沟道孔穴的孔径的分布进行修正的方式，在所述沟道孔穴内的表面上形成保护膜的工序，和

在形成所述保护膜后，形成所述电荷俘获膜和所述第一沟道膜的工序。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，具有：

获得在所述层叠膜中形成了沟道孔穴的衬底的、所述沟道孔穴的孔径在所述衬底的表面内的分布数据的工序，

以基于所述孔径的分布数据而对所述沟道孔穴的孔径的分布进行修正的方式，在所述沟道孔穴内的表面上形成保护膜的工序，和

在形成所述保护膜后，形成所述电荷俘获膜和所述第一沟道膜的工序。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，包括如下工序：

在所述第一沟道膜上形成所述第二沟道膜的工序中，

使用第一含硅气体和第二含硅气体，

使向所述衬底的中心侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量，与向所述衬底的外周侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量不同。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，包括如下工序：

在所述第一沟道膜上形成所述第二沟道膜的工序中，

使用第一含硅气体和第二含硅气体，

使向所述衬底的中心侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量，与向所述衬底的外周侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量不同。

7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，包括如下工序：

在所述第一沟道膜上形成所述第二沟道膜的工序中，

使用第一含硅气体和第二含硅气体，

使向所述衬底的中心侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量，与向所述衬底的外周侧供给的所述第一含硅气体和所述第二含硅气体两者的量不同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述沟道孔穴设有多个，

在所述接收的工序中，接收与形成有所述电荷俘获膜和所述第一沟道膜的多个所述沟道孔穴的孔径分布相关的信息。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

基于接收到的所述信息，修正多个沟道孔穴的孔径分布。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

所述沟道孔穴设有多个，

在形成所述电荷俘获膜和所述第一沟道膜之前，包括如下工序：

获得多个所述沟道孔穴的孔径分布的数据的工序；

在多个所述沟道孔穴的各自的表面形成保护膜的工序；以及

基于获得的所述数据，修正多个所述沟道孔穴的孔径的表面内分布的工序。