[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。提高形成于衬底上的膜的膜品质。具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为交替进行对处理室内的衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对处理室内的衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，使供给第一处理气体的工序中的处理室内的压力大于供给第二处理气体的工序中的处理室内的压力。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。

背景技术

作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时使用卤系的处理气体、非卤系的处理气体，在衬底上进行形成包含硅(Si)等规定元素作为主元素的膜的成膜处理(例如，参见专利文献1～3)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]国际公开第2012/029661号小册子

[专利文献2]日本特开2013-197307号公报

[专利文献3]日本特开2014-067796号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的膜品质的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种技术，具有

通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为交替进行对处理室内的衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述处理室内的所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，使供给所述第一处理气体的工序中的所述处理室内的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述处理室内的压力。

发明效果

根据本发明，能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。

附图说明

[图1]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用纵截面图来表示处理炉部分的图。

[图2]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是用图1的A-A线截面图来表示处理炉部分的图。

[图3]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是用框图来表示控制器的控制系统的图。

[图4]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序及其变形例的图。

[图5]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序及其他变形例的图。

[图6](a)是表示Si膜形成处理开始前的晶片表面的剖面结构的图，(b)是表示在Si膜形成处理进行中且DCS气体供给后的晶片表面的剖面结构的图，(c)是表示在Si膜形成处理进行中且DS气体供给后的晶片表面的剖面结构的图，(d)是表示Si膜形成处理结束后的晶片表面的剖面结构的图，(e)是表示氧化膜形成处理结束后的晶片的表面的剖面结构的图，(f)是表示图6的(e)的区域A的部分放大图的一个例子的图，(g)是表示图6的(e)的区域A的部分放大图的其他例子的图，(h)是表示图6的(e)的区域A的部分放大图的其他例子的图。

[图7]是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是用纵剖面图来表示处理炉部分的图。

[图8]是本发明的其他实施方式中优选使用的衬底处理装置的处理炉的概略构成图，是用纵剖面图来表示处理炉部分的图。

附图标记说明

200 晶片(衬底)

200d Si膜