[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有

通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为交替进行

对处理室内的衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和

对所述处理室内的所述衬底供给包含Si的非卤系的第二处理气体的工序，

使供给所述第一处理气体的工序中的所述处理室内的压力为400Pa以上且1000Pa以下，使供给所述第二处理气体的工序中的所述处理室内的压力为250Pa以上且350Pa以下，

使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底的温度为350℃以上且450℃以下，使供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底的温度为350℃以上且450℃以下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步包括对所述处理室内的所述衬底供给含氢气体的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含同时进行供给所述第一处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步具有从所述处理室内排出所述第一处理气体的工序，且所述循环进一步包含同时进行排出所述第一处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含同时进行供给所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步具有从所述处理室内排出所述第二处理气体的工序，且所述循环进一步包含同时进行排出所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

7.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含同时进行供给所述第一处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间、和同时进行供给所述第二处理气体的工序和供给所述含氢气体的工序的期间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，使与供给所述第一处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量小于与供给所述第二处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，使与供给所述第一处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量大于与供给所述第二处理气体的工序同时供给的所述含氢气体的供给流量。

10.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含：在实施了供给所述含氢气体的工序的状态下，交替进行供给所述第一处理气体的工序和供给所述第二处理气体的工序的期间。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步包含对所述处理室内的所述衬底供给掺杂气体的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含同时进行供给所述第二处理气体的工序和供给所述掺杂气体的工序的期间。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环进一步具有从所述处理室内排出所述第二处理气体的工序，且所述循环进一步包含同时进行排出所述第二处理气体的工序和供给所述掺杂气体的工序的期间。

14.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述循环包含同时进行供给所述第一处理气体的工序和供给所述掺杂气体的工序的期间。