[发明专利]光刻工艺及用于执行光刻工艺的系统

说明书

本发明实施例提供一种低成本、高产量及高可靠性的无光式光刻工艺。将模板掩模接合至生产工件，且模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。本发明也提供一种用于执行无光式光刻工艺的系统。

技术领域

本发明实施例是关于一种光刻工艺。

背景技术

在制造集成电路(integrated circuit，IC)的过程中，将执行多步骤程序的半导体工艺，以逐步地在半导体工件上形成电子电路。一种这样的半导体工艺是光刻(lithography)。光刻是用于将几何图案转移至半导体工件的工艺。光刻可通过(例如)光致光刻(photolithography)、带电粒子光刻(charged particle lithography)或纳米压印光刻(nanoimprint lithography)来执行。

发明内容

本发明提供一种光刻工艺，其成本低、产量高且可靠性高。

本发明实施例提供一种光刻工艺，其包括以下步骤。将模板掩模接合至生产工件，其中模板掩模包括定义图案的多个开口。通过多个开口对生产工件执行蚀刻，以将模板掩模的图案转移至生产工件。将模板掩模自生产工件分离。

基于上述，本发明的光刻工艺为一种无光式光刻工艺(photo-free lithographyprocess)。在一些实施例中，执行无光式光刻工艺不需要沉积光致抗蚀剂层、以辐射来曝光光致抗蚀剂层、或显影光致抗蚀剂层，借此与光致光刻相比，无光式光刻工艺的成本低且产量高。另外，执行无光式光刻工艺不需要压印抗蚀剂，借此与纳米压印光刻相比，无光式光刻工艺的可靠性高。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A、图1B、图2至图7、图8A及图8B示出无光式光刻工艺的一些实施例的一系列剖面图及立体图；

图9示出图1A、图1B、图2至图7、图8A及图8B的无光式光刻工艺的一些实施例的流程图；

图10示出用于执行无光式光刻工艺的系统的一些实施例的流程图；

图11A示出在图10的系统中的对准模块的一些实施例的方块图；

图11B示出图11A的对准模块所使用的对准标记组的一些实施例的布局图。

具体实施方式

本发明内容提供用于实施不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，在以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且也可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本发明在各种实例中可使用相同的元件标号和/或字母来指代相同或类似的部件。元件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，其本身并不表示所讨论的各个实施例和/或配置本身之间的关系。

另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如“在…下”、“在…下方”、“下部”、“在…上”、“上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖元件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。