[发明专利]光刻工艺及用于执行光刻工艺的系统

权利要求书

1.一种光刻工艺，其特征在于包括：

将模板掩模对准生产工件，包括加热所述模板掩模或所述生产工件的一些区域，而不加热所述模板掩模或所述生产工件的其他区域，以使加热的所述区域膨胀而达成对准；

接合所述模板掩模至所述生产工件，其中所述模板掩模包括多个开口，所述多个开口定义图案，其中接合所述模板掩模至所述生产工件包括湿润所述生产工件的工件表面及所述模板掩模的掩模表面，按压所述工件表面及所述掩模表面使所述工件表面和所述掩模表面直接接触，以及当所述工件表面和所述掩模表面直接接触时，使所述模板掩模及所述生产工件进行退火；

通过所述多个开口对所述生产工件执行蚀刻，以将所述模板掩模的所述图案转移至所述生产工件，其中在所述模板掩模和所述生产工件接合完成后执行所述蚀刻；以及

自所述生产工件分离所述模板掩模。

2.根据权利要求1所述的光刻工艺，还包括：

自块状硅衬底形成所述模板掩模。

3.根据权利要求1所述的光刻工艺，其中所述生产工件包括衬底，且其中所述光刻工艺包括：

形成目标层，所述目标层覆盖所述衬底；

形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述目标层；以及

对所述硬掩模层执行所述蚀刻。

4.根据权利要求3所述的光刻工艺，还包括：

执行所述蚀刻至所述硬掩模层中并终止在所述目标层上；以及

自所述生产工件分离所述模板掩模之后，当所述硬掩模层就适当位置时，对所述目标层执行第二蚀刻，以将所述模板掩模的所述图案自所述硬掩模层转移至所述目标层。

5.根据权利要求4所述的光刻工艺，还包括：

对所述硬掩模层执行第三蚀刻，以自所述目标层移除所述硬掩模层。

6.根据权利要求1所述的光刻工艺，其中执行所述蚀刻包括用等离子体粒子轰击所述生产工件。

7.根据权利要求6所述的光刻工艺，其中执行所述蚀刻包括使所述等离子体粒子准直所述模板掩模。

8.根据权利要求1所述的光刻工艺，其中将所述模板掩模对准所述生产工件还包括：

使用所述模板掩模上的对准标记的第一图案以及所述生产工件上的对准标记的第二图案，将所述模板掩模对准所述生产工件。

9.根据权利要求8所述的光刻工艺，其中将所述模板掩模对准所述生产工件包括使用干涉术来测量所述对准标记的第一图案与所述对准标记的第二图案之间的对准值。

10.一种用于执行光刻工艺的系统，其特征在于包括：

模板掩模包括多个开口，所述多个开口定义图案且延伸穿过所述模板掩模；

处理工具包括处理腔室且还包括在所述处理腔室内的干涉照相机及在所述处理腔室内的数字镜阵列，其中所述处理工具经配置以：

使用所述干涉照相机来将所述模板掩模对准生产工件，其中所述干涉照相机经配置以使用第一辐射来测量所述模板掩模与所述生产工件之间的对准值，且所述数字镜阵列经配置以选择性地反射第二辐射而朝向所述生产工件以加热所述生产工件的一些部分但不是所有部分来使其与所述模板掩模的对应部分达成对准；以及

在所述处理腔室内将所述模板掩模的下表面接合至所述生产工件的上表面，其中将所述模板掩模的所述下表面接合至所述生产工件的所述上表面包括当所述上表面和所述下表面直接接触时进行退火；

蚀刻模块经配置以通过所述多个开口对所述生产工件进行蚀刻，以将所述图案转移至所述生产工件；以及

分离模块经配置以将所述模板掩模自所述生产工件分离。

11.根据权利要求10所述的用于执行光刻工艺的系统，其中所述模板掩模为块状硅晶圆。