[发明专利]一种N+P‑结构快恢复二极管芯片的制造方法

权利要求书

1.一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述二极管芯片的纵向结构从下至上依次为阳极金属（1）、半导体硅片P⁺衬底层（2）、P^-外延层（3）、P⁺沟道截止环（4）、氧化层（5）、N⁺阴极区（6）与阴极金属（7），所述制造方法的步骤如下：

步骤一：在一定厚度半导体硅片P⁺衬底层上外延具有一定电阻率与厚度的P^-外延层；

步骤二：通过高温氧化，生长一定厚度的氧化层；

步骤三：通过光刻，去除N⁺阴极区上的氧化层，并在去除氧化层的区域掺入杂质磷；再通过高温氧化与扩散方式，将杂质磷扩散至一定深度，形成N⁺阴极区，同时在N⁺阴极区生长一层氧化层；

步骤四：通过光刻，去除P⁺沟道截止环上的氧化层，并在去除氧化层的区域掺入杂质硼；再通过高温氧化与扩散方式，将杂质硼扩散至一定深度，形成P⁺沟道截止环，同时在P⁺沟道截止环生长一层氧化层；

步骤五：通过减薄方式，将半导体硅片P⁺衬底层无外延层一侧减去不少于5μm的一层，使硅片背面裸露出新鲜的硅；再通过溅射方式淀积一定厚度的重金属，最后通过高温扩散方式将重金属扩散分布在半导体硅片P⁺衬底层、P⁺外延层、P⁺沟道截止环与N⁺阴极区中；

步骤六：通过光刻，去除阴极电极处的氧化层，通过蒸发或溅射的方式淀积一层一定厚度的阴极电极金属；再通过光刻方式去除阴极电极以外区域金属；最后通过低温处理方式，将阴极金属与N⁺阴极区相结合形成良好的欧姆接触；

步骤七：再通过减薄方式，将半导体硅片P⁺衬底层无外延层一侧减去一层，使整个芯片减薄到一定厚度；再通过蒸发或溅射方式淀积一定厚度的阳极金属，这样N⁺P^-结构快恢复二极管芯片加工完成。

2.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤一中的半导体硅片P⁺衬底层的厚度为300-530μm，P^-外延层的厚度为25-150um，电阻率为10-100Ω.cm。

3.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤二中的高温氧化温度为900℃-1100℃，时间为50min-300min，氧化层的厚度为0.8-1.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤三中掺入杂质磷的方式为利用离子注入方式或采用三氯氧磷液态源掺杂，杂质磷的计量为1E14cm^-2-1E16cm^-2，高温氧化与扩散的温度为1000℃-1250℃，时间为50min-300min，N⁺阴极区的深度为5μm-60μm，N⁺阴极区上生长的氧化层厚度为0.5-1.5μm。

5.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤四中掺入杂质硼的方式为利用离子注入方式或采用CSD乳胶源涂覆，杂质硼的剂量为1E14cm^-2-1E16cm^-2，高温氧化与扩散的温度为900℃-1250℃，时间为50min-300min，P⁺沟道截止环的深度为2μm-10μm，P⁺沟道截止环上生长的氧化层厚度为0.5-1.5μm。

6.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤五中通过溅射方式淀积的重金属厚度为50Å-1000Å，高温扩散的温度为800-1100℃，时间为20-200min。

7.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤六中阴极电极金属的厚度为2.0-10.0μm，低温处理的温度为400-550℃，时间为10-60min。

8.根据权利要求1所述的一种N+P-结构快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤七中芯片减薄后的厚度为200-350μm，阳极金属的厚度为0.5-3.0μm，材质为Ti/Ni/Ag或Cr/Ni/Ag或V/Ni/Ag。