[发明专利]稠合杂芳族化合物及其中间体的合成方法、稠合杂芳族化合物及其中间体、和电子器件有效
| 申请号： | 201710156533.2 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107266469B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 宫碕荣吾;朴正一;姜铉范;李恩庆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07D495/22 | 分类号： | C07D495/22;C07D495/04;C07D517/22;C07D517/04;H01L51/05;H01L51/50;H01L51/30;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稠合杂芳族 化合物 及其 中间体 合成 方法 电子器件 | ||
1.合成稠合杂芳族化合物的方法，所述方法包括：
由通过化学式1表示的第一化合物和通过化学式2表示的第二化合物获得第一中间体；
由所述第一中间体获得包括具有硫属元素的环的第二中间体；和
通过所述第二中间体的环化反应获得稠合杂芳族化合物：
其中，在化学式1和2中，
Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，
X1为硫属元素，
R1和R2各自独立地为如下之一：氢、取代或未取代的C1-C20烷基、C1-C20氟烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、卤素、以及其组合，
L1为乙烯基和乙炔基之一，和
Y1为卤素，
其中所述第一中间体通过化学式3表示：
[化学式3]
其中，在化学式3中，
Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，
X1为硫属元素，
R1为如下之一：氢、取代或未取代的C1-C20烷基、C1-C20氟烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、卤素、以及其组合，
Z为亚乙烯基和亚乙炔基之一，和
Y1为卤素，
所述第二中间体通过化学式4表示：
[化学式4]
其中，在化学式4中，
Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，
X1为硫属元素，和
Y1和Y2各自独立地为卤素，和
所述稠合杂芳族化合物通过化学式5表示：
[化学式5]
其中，在化学式5中，
Ar1和Ar2各自独立地为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，和
X1和X2各自独立地为硫属元素。
2.如权利要求1所述的方法，其中获得第一中间体包括提供卤化物盐。
3.如权利要求2所述的方法，其中获得第一中间体包括提供如下之一：碘化钾、碘化铜、以及其组合。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物通过化学式1a表示：
[化学式1a]
其中，在化学式1a中，
Ar1为如下之一：取代或未取代的芳族环、取代或未取代的杂芳族环、和来自其的两个或更多个环的稠环，
X1为硫属元素，
R1和R3-R7各自独立地为如下之一：氢、取代或未取代的C1-C20烷基、C1-C20氟烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、卤素、以及其组合，
n为0、1、或2，和
m为范围0-10的整数。
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