[发明专利]稠合杂芳族化合物的制造方法、稠合杂芳族化合物、电子器件、中间体及其制造方法有效
| 申请号： | 201711076916.5 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN108069987B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李恩庆;宫碕荣吾;朴正一;姜铉范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C07D517/22 | 分类号： | C07D517/22;C07D345/00;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲;王华芹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开稠合杂芳族化合物的制造方法、稠合杂芳族化合物、电子器件、中间体及其制造方法。制造稠合杂芳族化合物的方法包括：使用钯催化剂和叔膦催化剂使由化学式1表示的化合物与金属烷基硫属化物反应以获得由化学式2表示的第一中间体，由所述第一中间体获得由化学式3表示的第二中间体，由所述第二中间体和由化学式4表示的化合物获得第三中间体，由所述第三中间体获得包括包含硫属元素的环的第四中间体，和进行所述第四中间体的环化反应以获得稠合杂芳族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 稠合杂芳族 化合物 制造 方法 电子器件 中间体 及其 | ||
【主权项】：
1.制造稠合杂芳族化合物的方法，所述方法包括：使用钯催化剂和叔膦催化剂使由化学式1表示的化合物与金属烷基硫属化物反应以获得由化学式2表示的第一中间体，由所述第一中间体获得由化学式3表示的第二中间体，由所述第二中间体和由化学式4表示的化合物获得第三中间体，由所述第三中间体获得包括包含硫属元素的环的第四中间体；和进行所述第四中间体的环化反应以获得稠合杂芳族化合物，1 和Ar2 独立地为如下之一：取代或未取代的C6-C30芳族环、取代或未取代的C3-C30杂芳族环、和前述两个或更多个环的稠环，Y1 和Y2 独立地为卤族元素、或C1-C10卤代烷基之一，Z1 为C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷基、或卤族元素之一，条件是Z1 不同于Y1 ，X1 为Se或Te之一，R1 为取代或未取代的C1-C10烷基之一，R2 为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、卤族元素、或其组合之一，和L1 为乙烯基或乙炔基之一。
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