[发明专利]晶圆级封装LED

权利要求书

1.晶圆级封装LED，其特征在于设有LED芯片、透镜、透镜粘结层，所述LED芯片设有衬底层、第一掺杂半导体层、半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层、第一电极、第二电极、绝缘层和包覆介质，所述半导体发光层设置于第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，导电反光层设置于第二掺杂半导体层下方，第二电极通过导电反光层实现与第二掺杂半导体层之间的电导通，第一电极与第一掺杂半导体层直接连接实现电导通，第一电极与半导体发光层、第二掺杂半导体层、导电反光层之间由绝缘层进行绝缘，所述包覆介质设置于LED芯片侧壁的非衬底区域，衬底层内部设置有过孔，所述过孔的内壁设置有高反射率层，所述透镜包括透镜平板部和透镜光耦合部，所述透镜平板部通过透镜粘结层粘结固定至衬底层上表面，所述透镜光耦合部设置于衬底层内部的杯状过孔内，且透镜光耦合部的光接收面朝向第一掺杂半导体层。

2.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述过孔采用杯状过孔，所述第一掺杂半导体层设于杯状过孔底部。

3.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述透镜粘结层将透镜平板部的底面与衬底层上表面粘合密封，在所述杯状过孔内形成密闭腔体。

4.如权利要求3所述晶圆级封装LED，其特征在于所述的密闭腔体为真空，或密闭腔体内充有氦气、氦氢混合气、氮气、空气中的任意一种。

5.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于在所述杯状过孔的底部，在第一掺杂半导体层上，是依次设置有第一透明包封层、波长转换层、第二透明包封层，所述波长转换层包含波长转换材料，所述波长转换材料用于吸收LED芯片发出的光并发出另一波长的光。

6.如权利要求5所述晶圆级封装LED，其特征在于所述波长转换材料选自稀土离子掺杂YAG荧光粉、稀土离子掺杂TbAG荧光粉、稀土离子掺杂硅酸盐荧光粉、稀土离子掺杂氮化物荧光粉、InP量子点、CdSe量子点、CdSe/ZnS核壳结构量子点、钙钛矿结构CsPbX3量子点中的至少一种，所述X＝Cl，Br，I。

7.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述设置于杯状过孔内壁的高反射率层为金属反射层。

8.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述透镜平板部的外形尺寸不大于LED芯片的外形尺寸。

9.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述透镜采用透明材料，所述透镜的材料选自玻璃、蓝宝石、碳化硅、硅胶、聚二甲基硅氧烷、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的一种。

10.如权利要求1所述晶圆级封装LED，其特征在于所述包覆介质选自环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯中的一种。