[发明专利]一种触控传感器及制备方法

权利要求书

1.一种触控传感器，其特征在于，包括：基板、底电极、左支承台、右支承台、支撑面、顶电极、支撑层、压力柱以及柔性层；所述底电极覆盖于所述基板表面；所述左支承台和所述右支承台立于所述基板上，所述左支承台和所述右支承台高度相同；所述底电极连接所述左支承台和所述右支承台底部；所述支撑面连接所述左支承台和所述右支承台；所述顶电极覆盖在所述左支承台和所述右支承台上方；所述支撑层覆盖于所述顶电极表面；所述压力柱直立于所述支撑层上；所述柔性层平铺于所述压力柱上方。

2.如权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述左支承台和所述右支承台与所述基板呈设定角度；所述左支承台外侧与所述基板左侧边缘距离为h，所述右支承台外侧与所述基板右侧边缘距离为h；所述左支承台和所述右支承台不接触；所述支撑面与所述左支承台的连接处位于所述左支承台的上半部，所述支撑面与所述右支承台的连接处位于所述右支承台的上半部；所述顶电极连接所述左支承台和所述右支承台顶部；所述底电极、所述左支承台、所述右支承台和所述顶电极共同组成一个梯形结构，其中所述左支承台和所述右支承台分别构成所述梯形结构的腰，所述顶电极构成所述梯形结构的上底，所述底电极构成所述梯形结构的下底。

3.如权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述顶电极的厚度小于所述底电极的厚度；所述支撑层的厚度小于所述顶电极的厚度；所述压力柱为圆柱体状结构，所述左支承台和所述右支承台顶部内侧距离为d，所述压力柱的直径为d/2，所述压力柱高2mm。

4.如权利要求1所述的触控传感器，其特征在于，所述基板与所述底电极平行；所述底电极与所述支撑面平行；所述支撑面与所述顶电极平行；所述顶电极与所述支撑层平行；所述支撑层与所述柔性层平行；所述柔性层宽度与所述基板宽度一致。

5.一种触控传感器制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在经过清洗和干燥的基板上溅射一层厚度均匀的金属膜，采用图形光刻工艺将所述金属膜刻蚀为底电极；

采用微纳制造工艺在所述底电极上加工出左支承台、右支承台和支撑面，所述左支承台和所述右支承台立于所述基板上，所述支撑面连接所述左支承台和所述右支承台；

采用微纳制造工艺在所述左支承台和所述右支承台上覆盖一层金属材料，采用图形光刻工艺将所述金属材料刻蚀为顶电极；

在所述顶电极表面旋涂上一层绝缘橡胶材料，采用图形光刻工艺将所述绝缘橡胶材料刻蚀为支撑层；

在所述支撑层上方旋涂一层聚二甲基硅氧烷绝缘橡胶材料，采用图形光刻工艺将所述聚二甲基硅氧烷绝缘橡胶材料刻蚀成单个圆柱体作为压力柱；

将聚酰亚胺柔性材料覆盖在所述压力柱上，加工形成柔性层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用微纳制造工艺在所述底电极上加工出左支承台、右支承台和支撑面，所述左支承台和所述右支承台立于所述基板上，所述支撑面连接所述左支承台和所述右支承台具体包括：

采用微纳制造工艺在所述底电极上采用绝缘材料加工出所述左支承台、所述右支承台和所述支撑面，所述底电极连接所述左支承台和所述右支承台底部；

所述左支承台和所述右支承台立于所述基板上，所述左支承台和所述右支承台高度相同，所述左支承台和所述右支承台与所述基板呈设定角度；所述左支承台外侧与所述基板左侧边缘距离为h，所述右支承台外侧与所述基板右侧边缘距离为h；所述左支承台和所述右支承台不接触；

所述支撑面与所述底电极平行；所述支撑面连接所述左支承台和所述右支承台，所述支撑面与所述左支承台的连接处位于所述左支承台的上半部，所述支撑面与所述右支承台的连接处位于所述右支承台的上半部。