[发明专利]平面供体‑受体异质结及包含其的光伏电池

权利要求书

1.一种平面供体-受体异质结，其包含两层光活性区域，其中每个层都具有均匀的组成，两个层形成所述平面供体-受体异质结，其中至少一个层包含具有通用分子结构(I)的化合物作为有机半导体材料：

其中M为硅、锗、锡或其组合；

其中“n”为0至4的整数；

其中每个R₁独立地为直链烷基、带支链的烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、杂环基团、芳基、烷基芳基、芳基烷基、氢、卤素或其组合；且

其中R₂为包含大于或等于6至22个碳原子的任选地经取代的含芳基基团，其中含芳基基团，若经取代，则可在一个或更多个位置处被一个或更多个相同或不同的卤素取代。

2.权利要求1所述的平面供体-受体异质结，其中R₂为包含大于或等于6至18个碳原子的任选地经取代的含芳基基团，其中含芳基基团，若经取代，则可在一个或更多个位置处被一个或更多个相同或不同的卤素取代。

3.权利要求1所述的平面供体-受体异质结，其中R₂包含卤素，所述卤素包括氟、氯、溴、碘或其组合。

4.权利要求3所述的平面供体-受体异质结，其中R₂包含氯，且其中所述含芳基基团，若经取代，则不能在对位处被取代。

5.权利要求3所述的平面供体-受体异质结，其中R₂包含氯，且其中所述含芳基基团，若经取代，则在一个或更多个邻位处被取代。

6.一种光伏电池，其包括根据权利要求1所述的平面供体-受体异质结。

7.一种平面供体-受体异质结，其包含两层光活性区域，其中每个层都具有均匀的组成，两个层形成所述平面供体-受体异质结，其中至少一个层包含具有通用分子结构(II)的化合物作为有机半导体材料：

其中M为硅、锗、锡或其组合；

其中“n”为0至4的整数；

其中每个R₁独立地为直链烷基、带支链的烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳氧基、杂环基团、单环芳香族基团、多环芳香族基团、烷基芳基、芳基烷基、氢、卤素或其组合；且

其中R₂和R₃相同或不同，且为卤素或包含大于或等于6至22个碳原子的任选地经取代的含芳氧基基团，其中含芳氧基基团，若经取代，则可在一个或更多个位置处经一个或更多个相同或不同的卤素取代。

8.权利要求7所述的平面供体-受体异质结，其中R₂和R₃相同或不同，且为包含大于或等于6至18个碳原子的任选地经取代的含芳氧基基团，其中含芳氧基基团，若经取代，则可在一个或更多个位置处被一个或更多个相同或不同的卤素取代。

9.权利要求7所述的平面供体-受体异质结，其中R₂和R₃包含卤素，所述卤素包括氟、氯、溴、碘或其组合。

10.一种光伏电池，其包括根据权利要求7所述的平面供体-受体异质结。