[发明专利]一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法

权利要求书

1.一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，所述背照式CMOS图像传感器采用5T有源像素结构和背面深槽、正面浅槽隔离技术，太高满井容量和减小像素间电、光学串扰。

2.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述的背照式是采用背面照光的一种探测方式。

3.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，背面采用深槽隔离BTI和P阱隔离BPW技术,减小背面电、光学串扰。

4.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，晶圆进行绑定（Carrier Wafer）技术，对器件晶圆正面进行减薄到器件层最终的厚度，提供了高强度的机械支撑。

5.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，正面采用浅槽隔离STI和P阱隔离BPW技术，减小正面电、光学串扰。

6.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，采用P+扩散对其下的 PN 结实现隔离，从而极大地减小了暗电流。

7.根据权利要求1所述的一种背照式宽动态范围CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，采用5T有源像素结构作为背照式CMOS图像传感器单元结构，并采用全并行曝光模式，曝光操作和像素读出操作可以并行，能够达到很高的帧频，满足监控系统的高速要求。