[发明专利]非易失性存储装置

说明书

提供一种能够以低消耗实现节省面积的具有作为PUF的功能的非易失性存储装置。具备：存储单元阵列(20)，由能够利用电阻值的变化保持数据的电阻变化型的多个存储单元(21)构成；读出电路(11)，从存储单元阵列(20)，以由多个存储单元(21)构成的存储组为单位，进行基于依存于多个存储单元(21)的各自的电阻值的放电现象或充电现象而取得时间信息的读出动作；数据生成电路(25)，基于通过读出电路(11)的读出动作得到的多个存储单元(21)的时间信息的各自的升序或降序中的位次生成个体识别信息。

技术领域

本发明涉及非易失性存储装置，特别涉及具有多个电阻变化型的非易失性存储器单元的非易失性存储装置。

背景技术

网络银行及网络购物等经由因特网进行的电子商务交易服务的市场正在迅速扩大。作为此时的结算方法而使用电子货币，作为其介质而利用的IC(“IntegratedCircuit”，集成电路，以下相同)卡及智能电话终端也同样正在扩大用途。在这些服务中，为了结算时的安全性，要求通信中的相互认证及在通信数据的加密时总是能提供更高电平的安全技术。

关于软件技术，已积累了以高度的加密算法为中心的程序处理的加密技术，达成了充分的安全。但是，通过技术进步，电路内部的信息从外部被直接读取的担心正在迅速变高。

专利文献1：国际公开第2012/014291号

专利文献2：日本特表2013－545340号公报

非专利文献1：“A 0.19pJ/b PVT－Variation－Tolerant Hybrid PhysicallyUnclonable Function Circuit for 100％Stable Secure Key Generation in 22nmCMOS”Sanu K.Mathew，et al.ISSCC 2014

非专利文献2：“耐タンパディペンダブルVLSIシステムの開発·評価”TakeshiFujino，“ディペンダブルVLSIシステムの基盤技術”CREST 2009年採択テーマ2012年度実績報告資料

非专利文献3：“Comprehensive Assessment of RRAM(注册商标)－based PUFfor Hard ware Security Applications”An Chen，IEDM 2015

发明内容

本发明提供一种能够以低功耗实现节省面积的具有作为PUF的功能的非易失性存储装置。

有关本发明的一技术方案的非易失性存储装置具备：存储单元阵列，由能够利用电阻值的变化来保持数据的电阻变化型的多个存储单元构成；读出电路，进行如下读出动作，该读出动作是从上述存储单元阵列中以由多个存储单元构成的存储组为单位，基于依存于上述多个存储单元的各自的电阻值的放电现象或充电现象而取得时间信息的读出动作；以及数据生成电路，基于通过上述读出电路的读出动作得到的上述多个存储单元的上述时间信息的各自的升序或降序中的位次，生成个体识别信息。

发明效果

通过本发明，能够提供一种能够以低功耗实现节省面积的具有作为PUF的功能的非易失性存储装置。

附图说明

图1是表示有关实施方式的电阻变化型非易失性存储装置的概略结构的一例的框图。

图2是表示有关实施方式的电阻变化型非易失性存储装置具备的存储单元的概略结构的一例的剖面图。

图3是将数字ID的置位状态下的标准化电阻值信息与关于其偏差的标准正态分布的偏差的关系标绘的图。

图4是表示对不同的两个芯片X和芯片Y的同一地址执行了写入时的各芯片间的同一地址的电阻值的关系的图。

图5是说明电阻变化元件的电阻变化的机理的图。