[发明专利]液处理装置有效
| 申请号: | 201710145062.5 | 申请日: | 2017-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN107240566B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 毛利信彦;上塘真吾;枪光正和;广濑虎瑠;浦智仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供一种液处理装置,精度良好地放置基板、同时减少基板的下表面上的液体残留。实施方式的液处理装置具备倾斜部、多个支承构件、处理液供给部以及旋转机构。倾斜部配置于基板的下方,具有从基板的外侧朝向基板的内侧下倾且沿着基板的周向延伸的倾斜面。多个支承构件相对于倾斜面突出地设置,从下方支承基板。处理液供给部向支承到多个支承构件的基板的上表面供给处理液。旋转机构使倾斜部旋转。另外,多个支承构件具有从基板的外侧朝向基板的内侧延伸的细长形状。
技术领域
本申请的实施方式涉及液处理装置。
背景技术
以往,作为对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行液处理的液处理装置,公知有单张式的液处理装置。单张式的液处理装置具备:基板保持部,其保持例如基板的外周部而使基板旋转;供给部,其向保持于基板保持部的基板的上表面供给处理液。
在这样的液处理装置中,期望的是减少已供给到基板的上表面的处理液向下表面的蔓延。因此,近年来,提出了一种液处理装置,在该液处理装置中,使基板支承于沿着基板的周向延伸的倾斜面而使基板的下表面与倾斜面在基板的大致整周上接触,从而抑制处理液从基板的上表面向下表面蔓延。
然而,在基板翘曲了的情况下,在基板与倾斜面之间产生微小的间隙,处理液有可能从该间隙向基板的下表面侧蔓延。因此,在上述的液处理装置中,存在在处理后的基板的下表面周缘部产生液体残留的情况。
另一方面,在专利文献1中公开了一种液处理装置,其中,在倾斜面设置有多个球面状的支承构件,使用该支承构件来支承基板。具体而言,球面状的支承构件以支承基板的下表面上的、距外周缘的距离为1mm~2mm的靠中心侧的位置的方式配置。
专利文献1:日本特开2010-93190号公报
发明内容
然而,在专利文献1所记载的构造中,在以例如基板的图案形成面为下表面来进行液处理的情况下,也有可能无法精度良好地放置基板、引起支承构件与图案形成面之间的干涉。
实施方式的一技术方案的目的在于提供一种能够精度良好地放置基板、同时减少基板的下表面上的液体残留的液处理装置。
实施方式的一技术方案的液处理装置具备倾斜部、多个支承构件、处理液供给部以及旋转机构。倾斜部配置于基板的下方,具有从基板的外侧朝向基板的内侧下倾且沿着基板的周向延伸的倾斜面。多个支承构件相对于倾斜面突出地设置,从下方支承基板。处理液供给部向支承到多个支承构件的基板的上表面供给处理液。旋转机构使倾斜部旋转。另外,多个支承构件具有从基板的外侧朝向基板的内侧延伸的细长形状。
根据实施方式的一技术方案,能够精度良好地放置基板、同时减少基板的下表面上的液体残留。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是用于说明处理单元的结构的图。
图3是把持部和升降销的动作说明图。
图4是旋转板的立体图。
图5是旋转板的俯视图。
图6是图5中的A-A线剖视图。
图7是图5中的H1部的放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





