[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统有效
申请号: | 201710142910.7 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107275254B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;守田聪;池边亮二;宫本勲武 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 控制 方法 系统 | ||
提供一种基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统。能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。具备:获取工序(S502),获取与所述基板(W)的膜的种类有关的信息;选择工序(S503),从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;控制工序(S504),进行控制使得所述拍摄部(270)使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。
技术领域
本发明涉及一种通过处理液对半导体晶圆等基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
公知一种具备单片式基板处理装置的基板处理系统。作为该种系统,存在一种具备具有如下功能的基板处理装置的系统:保持在基板的表面上形成有膜的基板并使该基板绕铅垂轴旋转,从喷嘴向基板的周缘部供给处理液来去除周缘部的膜。在专利文献1中,在基板处理系统内设置拍摄机构来拍摄由基板处理装置处理过的基板的周缘部,基于所拍摄到的图像来判断是否恰当地去除了周缘部的膜。
专利文献1:日本特开2013-168429号公报
发明内容
然而,在专利文献1的技术中,存在如下担忧:根据要去除的周缘部的膜的种类而拍摄条件等测定用设定花费工夫,调整作业花费长时间。
本发明用于解决上述的问题,能够不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜。
为了解决上述问题,本发明的基板处理装置的控制方法的基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板并使该基板旋转;处理液供给部,其供给用于去除基板的周缘部的膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,该控制方法具备:获取工序,获取与所述基板的膜的种类有关的信息;选择工序,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;以及控制工序,进行控制使得所述拍摄部使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。
本发明具有不依赖于要去除的周缘部的膜的种类而迅速地判断是否适当地去除了周缘部的膜的效果。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。
图2是本发明的实施方式所涉及的处理单元的纵剖侧视图。
图3是表示处理单元的罩构件、罩构件的升降机构以及处理液供给部的俯视图。
图4是将图2的右侧的晶圆的外周缘附近放大来详细表示的截面图。
图5是表示拍摄装置的详细的结构的截面图。
图6是表示实施方式所涉及的测定处理系统的概要结构的图。
图7是表示在第一实施方式中由基板处理系统和测定处理系统执行的基板处理和测定处理的整体流程的图。
图8是具体说明本实施方式中的整体流程的药液处理的图。
图9是说明本实施方式的药液处理中的晶圆W上的液体状态与拍摄装置的配置之间的关系的图。
图10是表示拍摄装置对于晶圆W的拍摄视角的图。
图11是说明拍摄装置、处理单元以及晶圆W的配置关系的图。
图12是用于说明切除宽度和偏心量的测定动作的流程图。
图13是根据第二拍摄条件所拍摄到的第二拍摄图像的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造