[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制方法和基板处理系统有效
申请号: | 201710142910.7 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107275254B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;守田聪;池边亮二;宫本勲武 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 控制 方法 系统 | ||
1.一种基板处理装置的控制方法,该基板处理装置具备:旋转保持部,其保持基板并使该基板旋转;处理液供给部,其供给用于去除基板的周缘部的膜的处理液;以及拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部,该基板处理装置的控制方法的特征在于,具备以下工序:
获取工序,获取与所述基板的膜的种类有关的信息;
选择工序,从预先存储于存储部的测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类对应的测定用设定;以及
控制工序,进行控制使得所述拍摄部使用在所述选择工序中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部,
其中,在所述获取工序中,还获取所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息,
在所述选择工序中,选择与所述膜的种类及所述去除宽度的设定信息对应的测定用设定。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,
在所述存储部中存储有与明度有关的多个拍摄条件来作为所述测定用设定,
在所述选择工序中,选择适于所获取到的所述膜的种类的拍摄条件。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,
在所述选择工序中,选择适于所获取到的所述膜的种类的、明度不同的多个拍摄条件,
在所述控制工序中,使所述拍摄部使用所述明度不同的多个拍摄条件来对基板进行多次拍摄。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置的控制方法,其特征在于,
在所述获取工序中,从使用所述基板处理装置的基板处理制程的记载来获取所述基板上的膜的种类的信息。
5.一种基板处理装置,进行去除基板的周缘部的膜的处理,该基板处理装置的特征在于,具备:
旋转保持部,其从所述基板的下表面吸附保持该基板并使该基板旋转;
处理液供给部,其在通过所述旋转保持部而基板正在旋转时,向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的处理液;
拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部;以及
存储部,其存储测定用设定的表,
其中,所述拍摄部能够选择性地设定不同的多个拍摄条件,使用根据所述基板的膜的种类和所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息而从所述测定用设定的表中选择出的拍摄条件来拍摄所述基板的周缘部。
6.一种基板处理系统,包括进行去除基板的周缘部的膜的处理的基板处理装置、进行基于拍摄图像的测定处理的测定处理装置以及对与测定处理有关的信息进行管理的信息处理装置,该基板处理系统的特征在于,
所述基板处理装置具备:
旋转保持部,其从所述基板的下表面吸附保持该基板并使该基板旋转;
处理液供给部,其在通过所述旋转保持部而基板正在旋转时,向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的处理液;
拍摄部,其拍摄所述基板的周缘部;以及
存储部,其存储测定用设定的表,
所述信息处理装置具备控制部,该控制部获取与所述基板的膜的种类和所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息有关的信息,从所述测定用设定的表中选择与所获取到的所述膜的种类和所述基板的周缘部的膜的去除宽度的设定信息对应的测定用设定,
所述测定处理装置具备控制部,该控制部进行控制使得所述拍摄部使用在信息处理装置中选择出的测定用设定来拍摄所述基板的周缘部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造