[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201710142738.5 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106935605A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 叶通迪;王从建;翁鸿铭;余兴 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的第一氧化层及形成于所述第一氧化层上的第一高K介质层，其中，所述第一高K介质层包括多层第一高K介质子层，相邻两层第一高K介质子层之间界面不连续。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，每层第一高K介质子层的材料的组成元素的种类相同。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，每层第一高K介质子层的材料的组成元素的配比相同或者不同。
4.如权利要求1～3中任一项所述的CMOS图像传感器，其特征在于，每层第一高K介质子层的表面经过半导体工艺处理。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器还包括形成于所述第一高K介质层上或所述第一高K介质层和所述第一氧化层之间的第二高K介质层，所述第二高K介质层的材料与所述第一高K介质层的材料不同。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第二高K介质层包括多层第二高K介质子层，相邻两层第二高K介质子层之间界面不连续。
7.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一高K介质层和所述第二高K介质层的材料包括：钽氧化物、铪氧化物、钛氧化物、锆氧化物或者镧氧化物。
8.如权利要求如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器还包括形成于所述第二高K介质层或所述第一高K介质层上的第二氧化层。
9.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述CMOS图像传感器的形成方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一氧化层；
在所述第一氧化层上依次形成多层第一高K介质子层，其中，每形成一层第一高K介质子层的同时对所述第一高K介质子层的表面进行半导体工艺处理。
10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体工艺处理包括：退火工艺、氧化工艺或者等离子体处理工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
