[发明专利]基板处理装置、液处理方法以及存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。

技术领域

本发明涉及一种用于去除基板的周缘部的膜的技术。

背景技术

例如，在半导体装置的制造工序中存在以下情况：为了抑制由于与其它设备接触等而引起的膜剥离、微粒的产生，而进行将形成于基板的周缘部的膜去除的处理。

作为去除作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)的周缘部的膜的基板处理装置的一例，已知如下一种装置：将晶圆保持为水平，一边使晶圆绕铅垂轴旋转一边向晶圆的周缘部供给处理液来将形成于该部的抗蚀膜、金属膜、金属膜表面的氧化膜、无机膜等去除。

例如，在专利文献1中记载了如下技术：从配置在与基板的周缘部相向的位置的周缘处理喷嘴供给化学药品、有机溶剂等药液来将形成于该部的金属层、光致抗蚀剂层等薄膜以任意设定的去除宽度去除。

然而，形成于基板的表面的膜有各种种类，根据膜的种类的不同而采用的处理液也不同。另外，也存在如下的情况：即使是相同的膜种类，如膜的硬度、膜厚等这样的与利用处理液去除的难易度有关的物理性质也是不同的。在这些情况下，有时即使向基板周缘的相同位置处供给处理液也无法获得遵循设定的去除宽度。

在专利文献1中，没有着眼于这样的问题，也没有公开解决该问题的方法。

专利文献1：日本特开2007-36180号公报：0001段、0026段、0029段～0030段、图3

发明内容

发明要解决的问题

本发明是在这样的情况下完成的，其目的在于提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置、液处理方法以及存储有该方法的存储介质。

用于解决问题的方案

本发明基板处理装置向基板供给处理液来去除基板的周缘部的膜，该基板处理装置的特征在于，具备：

基板保持部，其保持基板并且具备使基板旋转的旋转机构；

喷出部，其向被所述基板保持部保持的基板的周缘部喷出所述处理液；

喷出位置设定部，其与被输入的制程中包含的所述膜的去除宽度对应地设定处理液的喷出位置；

移动机构，其根据由所述喷出位置设定部设定的喷出位置，使来自所述喷出部的处理液的喷出位置沿基板的径向移动；

特性信息获取部，其获取要去除的膜的特性信息；

校正量获取部，其根据由所述特性信息获取部获取到的膜的特性信息，获取对由所述喷出位置设定部设定的喷出位置进行校正的校正量；以及

喷出位置校正部，其根据由所述校正量获取部获取到的校正量，对由所述喷出位置设定部设定的喷出位置进行校正。

发明的效果

本发明能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动。

附图说明

图1是表示具备本发明的实施方式所涉及的处理单元的基板处理系统的概要的俯视图。