[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201710137651.9 | 申请日: | 2017-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN107240565B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
| 发明(设计)人: | 饭野正;井原亨;甲斐義广;德永容一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05F3/02 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
导电性的保持部,其用于保持基板;
导通路径部,其与所述保持部接触,由导电性材料形成;
供给部,其对被所述保持部保持着的基板供给处理液;
接地部,其一端部与所述导通路径部连接,另一端部连接于接地电位;
可变电阻部,其设置于所述接地部,能够变更电阻值;以及
控制部,其对所述可变电阻部进行控制,
其中,在从开始进行所述处理液向所述基板的供给起直到所述处理液向所述基板的供给结束为止的期间内,所述控制部对所述可变电阻部进行控制,以使得紧接在该期间开始之后的所述可变电阻部的电阻值高于之后的所述可变电阻部的电阻值。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述可变电阻部具备:
第一电阻器,其具有第一电阻值;
第二电阻器,其具有比所述第一电阻值高的第二电阻值;以及
切换部,其在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间切换向所述接地部连接的电阻器,
所述控制部对所述切换部进行控制,在紧接在所述期间开始之后使所述第二电阻器与所述接地部连接,之后,使所述第一电阻器与所述接地部连接。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述可变电阻部是按照从所述控制部输入的信号来变更电阻值的可变电阻器。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述导通路径部是使所述保持部旋转的旋转机构。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述旋转机构具备:
导电性的旋转轴,其与所述保持部电接触,以能够使所述保持部旋转的方式支承所述保持部;
电动机,其使所述旋转轴旋转;
导电性的容器,其贮存有导电性的液体;以及
导电性的连接构件,其一端部与所述旋转轴电接触,另一端部被浸渍于所述液体中,
所述接地部的一端部与所述旋转机构中的所述容器连接。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述连接构件具有沿长边方向延伸的棒形状,与所述旋转轴同轴地连接于所述旋转轴与负荷侧相反的一侧的端部。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述旋转机构具备绝缘性的轴承,该轴承设置在所述电动机与所述旋转轴之间,以能够使所述旋转轴旋转的方式支承所述旋转轴。
8.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,还具备:
测定部,其测定所述基板的带电量;
基板输送部,其将被所述保持部保持着的所述基板向所述测定部输送;以及
估计部,其基于所述测定部的测定结果来估计所述保持部的带电量。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述估计部使用所述测定结果以及校正量,来估计所述保持部的带电量,该校正量是与从所述保持部接受所述基板时所述基板从所述保持部起的上升量相应的校正量。
10.一种基板处理方法,其特征在于,包括以下工序:
保持工序,保持基板;
供给工序,对连接于接地电位的所述基板供给处理液;以及
电阻值变更工序,在所述供给工序中变更可变电阻部的电阻值,该可变电阻部能够变更所述基板与所述接地电位之间的电阻值,
控制工序,在从开始进行所述处理液向所述基板的供给起直到所述处理液向所述基板的供给结束为止的期间内,对所述可变电阻部进行控制,以使得紧接在该期间开始之后的所述可变电阻部的电阻值高于之后的所述可变电阻部的电阻值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





