[发明专利]具有原子级平整表面的薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，将所述衬底放置于反应腔室中；

向反应腔室内通入包含有二硅氧烷的气体，在所述衬底表面上形成第一晶种层；

向反应腔室内通入包含有环戊硅烷的气体，在所述第一晶种层上形成第二晶种层；

向反应腔室内通入反应气体，在所述第二晶种层上形成薄膜。

2.如权利要求1所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，在形成所述第一晶种层与形成所述第二晶种层的过程中，向反应腔室内通入的气体还包括惰性气体。

3.如权利要求2所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，形成所述第一晶种层的工艺条件为：

反应腔室温度100℃～300℃，腔内压强0.1Torr～3.0Torr，气体流量：二硅氧烷50sccm～500sccm，惰性气体100sccm～1000sccm。

4.如权利要求2所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述环戊硅烷在一部分所述惰性气体的作用下通入反应腔室内，同时在所述反应腔室内通入另一部分所述惰性气体，使所述环戊硅烷在所述反应腔室内均匀分布。

5.如权利要求4所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，形成所述第二晶种层的工艺条件为：

反应腔室温度100℃～500℃，腔内压强0.1Torr～3.0Torr，气体流量：环戊硅烷与惰性气体的混合气体50sccm～500sccm，惰性气体100sccm～1000sccm。

6.如权利要求2～5中任一项所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

7.如权利要求1所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一晶种层为单层或双层；所述第二晶种层为单层、双层或三层。

8.如权利要求1所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜为硅薄膜、锗薄膜或硅锗薄膜。

9.如权利要求8所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应气体包含有含硅或/含锗气体与氢气。

10.如权利要求9所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，形成所述薄膜的工艺条件为：

反应腔室温度100℃～500℃，腔内压强0.1Torr～3.0Torr，气体流量：含硅气体50sccm～500sccm或/和含锗气体50sccm～500sccm，氢气100sccm～1000sccm。

11.如权利要求10所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述含硅气体为乙硅烷，所述含锗气体为锗烷。

12.如权利要求11所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，形成硅薄膜的反应气体为乙硅烷与氢气，形成锗薄膜的反应气体为锗烷与氢气，形成硅锗薄膜的反应气体为乙硅烷、锗烷与氢气。

13.如权利要求1所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，在形成第一晶种层之前，在所述衬底表面上形成一绝缘层。

14.如权利要求13所述的具有原子级平整表面的薄膜的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。