[发明专利]捕集装置和使用该捕集装置的排气系统、基板处理装置

说明书

本发明的目的在于提供一种能够无需相对于排气系统进行装卸且延长用于恰当地保持装置运转环境的清洁周期的捕集装置和使用该捕集装置的排气系统、基板处理装置。一种捕集装置(50)，其具有捕集部(10)，该捕集部(10)设置于配管(60)内的流路(61)，所述捕集部具有相对于所述配管内的流路倾斜的倾斜面，在该倾斜面设置有多个开口(11)。

技术领域

本发明涉及捕集装置和使用了该捕集装置的排气系统、以及基板处理装置。

背景技术

以往以来，公知有设置于对基板实施成膜的成膜装置的排气系统而对排气中所含有的反应副生成物进行捕获的捕集装置(参照例如专利文献1)。

例如，专利文献1所记载的捕集装置构成为，具有气体导入口和气体排出口而壳体夹设于排气系统，设置有将壳体内分隔成多个室的分隔板，并且，以排气在多个室内依次流动的方式在分隔板形成有气体流通口，为了捕获反应副生成物，该捕集装置具备收容于各室内的捕集机构。并且，通过使排气经由各室依次流动，将反应副生成物高效地去除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10－140357号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所记载的捕集装置中，为了将捕集到的反应副生成物去除，需要这样的装卸作业：使工艺装置停止而将捕集装置拆卸，从捕集装置将反应副生成物去除，并且对捕集装置进行清洗，再次设置捕集装置。由于该装卸作业，装置运转率降低，生产率降低，因此，不设置捕集装置，而定期地对排气系统的配管进行定期的分解清洗或使清洁用气体(氟系气体、以下称为“F系气体”。)相对于排气系统配管进行通气，不需装置分解而将副生成物去除，从而维持了装置运转环境。

在使用例如TEOS(四乙氧基硅烷，テトラエトキシン)等的CVD(化学气相沉积，Chemical Vapor Deposition)装置中，大量的副生成物附着于反应炉的排气系统的真空配管，但以那样的方法维持了装置运转环境。

然而，由F系气体通气进行的生成物去除与分解清洗相比，存在装置停止期间较短的特征，但F系气体只到达生成物的表面，因此，若生成物堆积较厚，则不能完全去除。另外，若附着到真空配管的上表面的生成物由于重力剥离而堆积于真空配管的下表面，则存在产生配管堵塞的情况。因此，存在如下问题：需要以生成物不向配管的下表面落下的程度的频度由F系气体通气进行生成物去除，该去除作业阻碍装置运转率的提高，使生产率降低。

因此，本发明的目的在于提供一种无需相对于排气系统进行装卸、且能够延长用于恰当地保持装置运转环境的清洁周期的捕集装置和使用了该捕集装置的排气系统、以及基板处理装置。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一技术方案的捕集装置具有设置于配管内的流路的捕集部，其中，所述捕集部具有相对于所述配管内的流路倾斜的倾斜面，在该倾斜面设置有多个开口。

本发明的其他技术方案的排气系统具有：多个排气系统配管，其借助凸缘连接起来；所述捕集装置，其固定地设置于该凸缘。

本发明的其他技术方案的基板处理装置具有：处理室；处理气体供给部件，其向该处理室供给处理气体；排气泵，其用于对该处理室进行排气；所述排气系统，其以与所述处理室和所述排气泵连接的方式设置于所述处理室与所述排气泵之间。

发明的效果

根据本发明，能够使维持装置运转环境所需的配管的清洁周期延长。

附图说明