[发明专利]图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组在审
申请号: | 201710133560.8 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN108573985A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 曲志刚;朱虹 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 像素阵列 封装结构 指纹成像 基底 模组 母板 像素单元 阵列排布 信噪比 透射 准直 封装 切割 隔离 | ||
一种图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组,所述图像传感器包括:基底;像素阵列,位于所述基底上,所述像素阵列包括呈阵列排布的多个像素单元;封装结构层,位于所述像素阵列上,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起准直作用。本发明技术方案能够减少切割后的加工工艺,提高所形成图像传感器的信噪比。
技术领域
本发明涉及指纹成像领域,特别涉及一种图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组。
背景技术
指纹识别技术是通过图像传感器采集到人体的指纹图像,然后与指纹识别系统里已有的指纹信息进行比对,从而实现身份识别的技术。由于其便捷性和人体指纹的唯一性,指纹识别技术已经大量应用于各个领域,比如:公安局、海关等安检领域,楼宇的门禁系统,以及个人电脑和手机等消费品领域等等。
指纹识别技术中所采用的成像方式有光学式、电容式、超声波式等多种。其中一种是通过光学式成像模组采集人体的指纹图像。光学式成像模组主要包括:保护盖板、图像传感器、集成芯片(IC)、柔性电路板(FPC)和柔性电路板上的电子器件(包括光源LED)、导光板、上保护壳体以及下保护壳体等主要部件。其中图像传感器是利用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)、低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)或氧化物半导体薄膜晶体管(OS TFT)等半导体工艺技术,在玻璃基底上制作的;之后经过切割、点胶、粘接等过程实现封装。
但是现有技术中,形成图像传感器的方法存在工艺精度、信号噪声大的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种图像传感器及其形成方法、图像传感器母板、指纹成像模组,以提高工艺精度,降低信号噪声。
为解决上述问题,本发明提供一种图像传感器的形成方法,包括:
提供基底;在所述基底上形成多个像素阵列,所述像素阵列包括呈阵列排布的像素单元,相邻像素阵列之间具有划片道;在所述像素阵列上形成封装结构层,所述封装结构层用于实现所述像素阵列的封装隔离,并对透射所述像素阵列的光线起到准直的作用;形成所述封装结构层之后,沿所述划片道切割所述基底,以获得所述图像传感器。
可选的,形成所述封装结构层的步骤包括:在所述基底上形成支撑层,所述支撑层内具有通光开口,所述通光开口底部露出所述像素单元;向所述通光开口内填充封装材料,形成封装块;在所述支撑层和所述封装块上形成保护层。
可选的,形成所述支撑层的步骤包括:在所述基底上进行第一成膜处理,形成支撑材料层,所述支撑材料层覆盖所述划片道和所述像素阵列;对所述支撑材料层进行第一图形化处理,去除所述划片道上的支撑材料层,并形成所述支撑层和所述通光开口;
可选的,形成所述封装块的步骤包括:在所述基底上进行第二成膜处理,形成封装材料层,所述封装材料层覆盖所述划片道并填充于所述通光开口内;对所述封装材料层进行第二图形化处理,去除所述划片道上的封装材料层,形成位于所述通光开口内的封装块;
可选的,形成所述保护层的步骤包括:在所述基底上进行第三成膜处理,形成保护材料层,所述保护材料层覆盖所述划片道、所述支撑层和所述封装块;对所述保护材料层进行第三图形化处理,去除所述划片道上的保护材料层,形成所述保护层。
可选的,所述封装块材料的折射率大于所述支撑层材料的折射率。
可选的,所述通光开口的深宽比大于1。
可选的,所述通光开口底部露出一个或多个像素单元。
可选的,所述保护层为单层结构或叠层结构。
可选的,形成封装块之后,形成保护层之前,所述形成方法还包括:形成覆盖所述封装块和所述支撑层的平坦层;形成保护层的步骤中,形成位于所述平坦层上的保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的