[发明专利]用于钙钛矿晶体的结晶生长板、结晶釜及结晶装置在审
| 申请号： | 201710124374.8 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106811794A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 范利生;田清勇;瞿光胤;陈加坡;范斌 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫纳米科技有限公司;苏州协鑫能源技术发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 钙钛矿 晶体 结晶 生长 装置 | ||
1.一种用于钙钛矿晶体的结晶生长板，其特征在于，包括：
本体，包括用于晶体生长的第一面以及与所述第一面相对的第二面；
高表面能结构，设于所述本体的第一面；
以及低表面能结构，设于所述本体的第二面。
2.根据权利要求1所述的结晶生长板，其特征在于，所述高表面能结构为附于所述本体上的亲水材料层。
3.根据权利要求2所述的结晶生长板，其特征在于，所述亲水材料层中的亲水材料选自聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、和聚丙烯酸中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的结晶生长板，其特征在于，所述低表面能结构为附于所述本体上的疏水材料层。
5.根据权利要求4所述的结晶生长板，其特征在于，所述疏水材料层中的疏水材料选自聚丙烯、聚偏氟二烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、和氟代聚硅氧烷中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的结晶生长板，其特征在于，所述本体呈网筛状。
7.根据权利要求6所述的结晶生长板，其特征在于，所述本体的孔径为50～100目。
8.根据权利要求1所述的结晶生长板，其特征在于，所述本体的材质为不锈钢、铝合金、或钢化玻璃。
9.一种钙钛矿晶体结晶釜，其特征在于，包括：
釜体；
加热机构，至少位于所述釜体的底部；
以及结晶生长板，设置于所述釜体内；
所述结晶生长板为权利要求1-8任一项所述的结晶生长板。
10.根据权利要求9所述的钙钛矿晶体结晶釜，其特征在于，所述钙钛矿晶体结晶釜还包括用于升降所述结晶生长板的升降机构。
11.根据权利要求9所述的钙钛矿晶体结晶釜，其特征在于，所述加热机构为电加热机构或循环油浴加热机构。
12.一种钙钛矿晶体的结晶装置，其特征在于，包括权利要求9-11任一项所述的钙钛矿晶体结晶釜。
13.根据权利要求12所述的钙钛矿晶体的结晶装置，其特征在于，所述钙钛矿晶体的结晶装置还包括溶剂冷凝回收单元，所述溶剂冷凝回收单元设置于所述钙钛矿晶体结晶釜的上方。
14.根据权利要求12所述的钙钛矿晶体的结晶装置，其特征在于，所述钙钛矿晶体的结晶装置还包括用于对补液预加热的预加热单元，所述预加热单元设置于所述钙钛矿晶体结晶釜的侧面。
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