[发明专利]化学镀金浴的镀覆能力维持管理方法在审
申请号: | 201710123624.6 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN107365984A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 田边克久;笹村哲也;西村直志;染矢立志 | 申请(专利权)人: | 上村工业株式会社 |
主分类号: | C23C18/44 | 分类号: | C23C18/44 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 刘兵,严政 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 镀金 镀覆 能力 维持 管理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及化学镀金浴的镀覆能力维持管理方法。具体地,本发明涉及在建浴时或镀覆处理中可以长时间、稳定地维持化学镀金浴的镀覆能力的方法。
背景技术
金具有仅次于银、铜的高电导率,通过热压接的接续性等的物理性能良好,并且耐氧化性、耐药品等的化学性质也良好。因此,使用金的镀金,在作为电子工业领域中印刷电路板的电路、IC封装的安装部分和端子部分等的最终表面处理方法中被广泛使用。近年,伴随着电子部件的小型化、高密度化,优选使用不需要铅引线且功能性等良好的化学镀方法。
化学镀方法,根据镀覆方法可代表性地举出下述的方法。
(1)在基底化学镀镍膜上,形成置换镀金膜的化学镀镍/置换镀金法(Electroless Nickel Immersion Gold:ENIG)
(2)在铜上直接形成置换镀金膜的直接置换镀金法(Direct Immersion Gold:DIG)
(3)在基底化学镀镍膜和置换镀金膜之间设置化学镀钯膜的化学镀镍/化学镀钯/置换镀金法(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold:ENEPIG)
这些方法都可以防止铜的扩散、提高电路和端子耐腐蚀性。特别是使用化学镀钯的ENEPIG法,作为进一步提高导线、无铅焊料之间的连接可靠性的方法,非常地有用。
化学镀金浴,根据作为金供给源使用的金盐(水溶性金化合物)的种类大体分为氰镀浴和无氰镀浴(非氰镀浴)。其中,氰镀浴含有含氰基(CN)的水溶性金化合物(例如氰化金钾等的氰化金盐等)。另一方面,非氰镀浴含有不含氰基的水溶性金化合物(例如氯化金钠等的氯化金盐、亚硫酸金钠等的亚硫酸金盐等)。
化学镀金浴,除了上述金盐之外,还含有还原剂、络合剂等的添加剂。其中,还原剂用于还原金盐使金析出而添加。络合剂主要用于使镀金液的金的溶解性稳定化而添加。化学镀金浴中,出于进一步提高镀覆稳定性、镀覆后的外观、调整镀膜形成速度(镀覆速度)等的目的,也可以添加稳定剂。
然而,根据化学镀金浴中含有的添加剂的种类,也存在由于建浴时(例如镀液调制后、保存中)或镀覆处理中(例如升温保持时)添加剂分解等原因而消失或变化,引起镀浴分解的情况。此外,也存在镀覆处理消耗金供给源的金化合物,从而镀覆能力降低的问题。
为了解决这样的问题,本申请人提出了专利文献1的方法。专利文献1中,鉴于使用三乙撑四胺这样存在氨基的伯胺化合物时,镍表面的晶界腐蚀进行从而金的被覆力降低,膜外观变红的问题,公开了将得到良好镀膜外观的镀金膜的化学镀金浴的镀覆长时间、稳定地维持管理的方法,进一步地,公开了将由于镀覆处理氰化金盐被消耗的化学镀金浴长时间、稳定地维持管理的方法。具体地,公开了将含有氰化金盐、络合剂、甲醛重亚硫酸盐(ホルムアルデヒド重亜硫酸塩)加合物以及规定的式表示的胺化合物的化学镀金浴保持在70-90℃的状态下稳定地维持管理上述化学镀金浴的镀覆能力的方法,其中,定期补充KCN等的碱金属氰化物以及甲醛重亚硫酸加合物和胺化合物。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】特开2008-169425号公报
发明内容
然而,上述专利文献1的方法中,在建浴时和升温保持时,与甲醛重亚硫酸盐加合物和规定的胺化合物一起,定期补给有毒物质KCN,在使用时的操作、在库管理(试剂购入、废弃、补给槽管理等)等点上受到较大制约。
此外,上述专利文献1中,由于作为金供给源使用氰化金盐,同样存在上述的问题。因此,希望提供即使在使用亚硫酸金钠等这样的不含氰基的无氰镀浴的情况下,也能稳定地维持化学镀金浴的镀覆能力的方法。
本发明鉴于上述情况而成,其目的在于,提供一种新的化学镀金浴的镀覆能力维持方法,该方法在建浴时或镀覆处理中,不补给氰化钾等的有毒物质,进一步即使在使用无氰镀浴的情况下,也将镀覆稳定性、镀覆后的外观和镀膜形成速度(镀覆速度)全部长时间、稳定地维持管理。
本发明的主旨,如下述1-7所述。
1.一种化学镀金浴的镀覆能力维持管理方法,该方法为稳定地维持管理含有水溶性金化合物、还原剂和络合剂的化学镀金浴的镀覆能力的方法,其中,定期补给下述式所示的氰醇化合物
[化学式1]
式中,R1和R2相同或不同,表示氢原子、甲硅烷基、或可被取代基取代的烷基或芳基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上村工业株式会社,未经上村工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710123624.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于注射器至基板的空隙控制的装置及方法
- 下一篇:化学镀金浴
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理