[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有对衬底进行处理的处理容器；衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面；加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体；和控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

作为制造半导体器件的装置，存在逐片处理晶片的单片装置(例如专利文献1)。在单片装置中，例如加热晶片，并且向晶片上供给气体，由此形成构成半导体器件的一部分的膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-54399号公报

发明内容

发明要解决的问题

在单片装置的情况下，由于是例如逐片处理晶片，因此需要提高成品率。为此，需要提高晶片表面内的膜特性。

本发明的目的在于，对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有

对衬底进行处理的处理容器，

衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面，

加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体，和

控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。

发明效果

根据本发明，对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。

附图说明

[图1]为表示本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置的概略构成例的说明图。

[图2]为说明本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置的控制器的说明图。

[图3]为说明本发明的第一实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。

[图4]为对本发明的第一实施方式涉及的衬底处理工序中的衬底处理装置的动作进行说明的说明图。

[图5]为对本发明的第一实施方式涉及的衬底处理工序中的衬底处理装置的动作进行说明的说明图。

[图6]为对本发明的第一实施方式涉及的衬底处理工序中的衬底处理装置的动作进行说明的说明图。

[图7]为说明本发明的第一实施方式涉及的成膜工序的流程图。

[图8]为说明本发明的第二实施方式涉及的簇射头的说明图。

[图9]为说明本发明的第二实施方式涉及的分散部的说明图。

[图10]为说明本发明的第三实施方式涉及的分散部的说明图。

附图标记说明

100…衬底处理装置，200…晶片(衬底)，280…控制器

具体实施方式

以下，参照附图，针对本发明的实施方式进行说明。