[发明专利]金属凸块装置及其制造方法有效
申请号: | 201710118714.6 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN108538735B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 薛兴涛;何智清 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 曲瑞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属凸块装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底和在所述衬底之上的金属层,所述金属层具有凹口;
通过植球工艺在所述金属层的凹口上形成金属凸块;以及
通过印刷工艺在所述金属凸块上形成焊膏;
其中,通过植球工艺在所述金属层的凹口上形成金属凸块的步骤包括:
在所述金属层上方设置植球网版,所述植球网版具有与所述凹口相对准的第一网孔;
经由所述第一网孔在所述凹口中形成助焊剂;
经由所述第一网孔利用所述助焊剂在所述凹口上粘结金属凸块;以及
去除所述植球网版。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在形成所述焊膏后执行回流处理。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
其中,所述第一网孔的大小为所述凹口大小的70%至90%。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过印刷工艺在所述金属凸块上形成焊膏的步骤包括:
在所述金属凸块上方设置印刷网版,所述印刷网版具有与所述金属凸块相对准的第二网孔;
经由所述第二网孔在所述金属凸块上形成焊膏;以及
去除所述印刷网版。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述金属凸块的材料包括:铜;
所述焊膏的材料包括:锡或锡银。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述金属凸块的直径为60μm至100μm,长度为60μm至150μm。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在提供衬底结构的步骤中,所述衬底结构还包括:
在所述衬底上的衬垫层;
在所述衬垫层的部分上的绝缘物层;以及
在所述绝缘物层上的钝化层,所述钝化层具有露出所述衬垫层的开口和在所述开口边缘上的凸出部,所述凸出部与被露出的所述衬垫层的上表面形成凹陷;
其中,所述金属层形成在所述钝化层和所述衬垫层上,所述金属层的位于所述凹陷内的部分形成凹口。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:
去除所述金属层的位于所述凹陷之外的部分。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述金属层包括:在所述衬底之上的第一金属层和在所述第一金属层上的第二金属层;其中,所述金属凸块形成在所述第二金属层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造