[发明专利]GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件在审
| 申请号： | 201710117337.4 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106935609A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘立林;张向英 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/42;H01L21/786 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 微型 led 阵列 器件 制备 方法 | ||
1.一种GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：在LED阵列器件的外延结构上生长一层ITO薄膜，然后采用掩膜对外延结构非像素点区域的ITO薄膜进行湿法刻蚀，保留像素点区域的ITO薄膜作为像素点P电极的欧姆接触层。
2.根据权利要求1所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述外延结构包括蓝宝石衬底上依次外延生长的u-GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN量子阱有源层和InGaN基接触层；所述制备方法具体包括以下步骤：
S1.在InGaN基接触层上外延生长一层ITO薄膜；
S2.采用掩膜对外延结构非像素点区域的ITO薄膜进行湿法刻蚀，保留像素点区域的ITO薄膜作为像素点P电极的欧姆接触层和步骤S3干法刻蚀中像素点区域的保护层；
S3.对进行湿法刻蚀刻蚀掉ITO薄膜的非像素点区域进行感应耦合等离子体干法刻蚀，并刻蚀到n-GaN层；
S4.在像素点区域的ITO薄膜上沉积反射层金属；
S5.然后在n-GaN层上沉积金属，形成GaN基微型LED阵列器件的共N电极；
S6.在外延结构表面上生长钝化层，并通过掩膜对像素点区域和共N电极进行开窗口；
S7.在像素点区域和共N电极开窗口后沉积金属，形成UBM层。
3.根据权利要求2所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述反射层金属为铬、铝、镍、金、铬中的一种金属或两种以上金属的混合。
4.根据权利要求2所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述在n-GaN层上沉积的金属为铬、钯、金中的一种金属或两种以上金属的混合。
5.根据权利要求2所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述UBM层沉积的金属为铬、金中的一种金属或两种金属的混合。
6.根据权利要求2所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述n-GaN层上沉积的金属具有吸光能力。
7.根据权利要求2所述的GaN基微型LED阵列器件的制备方法，其特征在于：所述钝化层为SiO2钝化层。
8.一种阵列器件，其特征在于：采用权利要求1~7任一项所述的方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
